发明名称 液晶显示装置及其制造方法
摘要 本发明为具有反向交错的沟道蚀刻型薄膜晶体管的液晶显示装置的制造方法提供一种新颖光刻工艺,它使用具有至少两个厚度互不相同的区域的光致抗蚀剂图形,本发明减少了液晶显示装置的整个制造过程所需的光刻工艺数量,并提高了液晶显示装置的亮度。
申请公布号 CN1333475A 申请公布日期 2002.01.30
申请号 CN01123106.8 申请日期 2001.05.12
申请人 株式会社日立制作所 发明人 小野记久雄;仲吉良彰;桶隆太郎;金子寿辉
分类号 G02F1/133;G02F1/136 主分类号 G02F1/133
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 傅康
主权项 1.一种液晶显示装置,包括:一个第一绝缘衬底和一个第二衬底,它们设置成各自的主表面相互对置;一个液晶层,它介于第一和第二绝缘衬底之间;栅极布线,它们形成在第一绝缘衬底上并传送扫描信号;一个栅极绝缘膜,它由第一绝缘衬底和栅极布线组成;漏极布线,它们由在栅极绝缘膜上形成的金属薄膜构成并传送视频信号;半导体层,它们形成在栅极绝缘膜上并至少在漏极布线之下;薄膜晶体管部分,每个薄膜晶体管部分都具有:一个半导体沟道层,它由至少位于栅极布线层的一部分上的半导体层的一部分构成;一个漏极,它由位于半导体沟道层上的漏极布线的一部分和一个半导体接触层构成,半导体接触层由与漏极布线的该部分接触的半导体层的一部分形成;一个源极,它由另一个金属薄膜和另一个半导体接触层构成,该金属薄膜在半导体沟道层上形成并与漏极分开对置,该半导体接触层由与所述另一个金属薄膜的下表面相接触的半导体层的另一部分形成;以及一个保护膜,它覆盖漏极布线、源极和漏极;和像素电极部分,每个像素电极部分都有一个与源极相接触的像素电极,其中,每个半导体层的平面图形比在其上形成的漏极布线层、源极和漏极的金属层的平面图形要宽,并且除了在其中形成的半导体接触层之外,每个半导体层的平面图形比半导体接触层的平面图形要宽。
地址 日本东京都