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Es wird eine Schaltungsanordnung beschrieben, mit der Konstantspannungen und/oder Konstantströme nach dem Bandgap-Prinzip (Bandabstands-Prinzip) erzeugt werden können. Die Schaltungsanordnung zeichnet sich insbesondere aus durch einen ersten und einen zweiten Transistor (T1, T2), deren Gateanschlüsse über einen ersten Widerstand (R1) miteinander verbunden sind und deren Kollektoranschlüsse an einer Versorgungsspannung (Vdd) anliegen, sowie einen zweiten Widerstand (R2), der zwischen dem Gateanschluss des ersten Transistors (T1) und die Versorgungsspannung (Vdd) geschaltet ist, so dass durch die Differenz der Gate-Emitter-Spannungen an den Transistoren (T1, T2) ein durch den ersten und zweiten Widerstand (R1, R2) nach Masse fließender Referenzstrom (Iref) erzeugt wird, und eine auf die Versorgungsspannung (Vdd) bezogene Referenzspannung (Vref) an dem Ermitter des ersten Transisitors (T1) abgreifbar ist. Der Referenzstrom (Iref) bzw. die Referenzspannung (Vref) sind in weiten Grenzen temperatur- und betriebsspannungsunabhängig und insbesondere unempfindlich gegen Einflüsse eines Reversbetriebes eines DMOS-Leistungstransistors in einer sperrschichtisolierten Mischtechnologie.
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