发明名称 | 氯硅烷合成工艺的含铜残渣浸出后所获含硅残渣的处理方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种用于处理来自有机氯硅烷的直接合成工艺的含铜残渣在浸出铜后所获的含硅固体残渣的方法。将固体残渣任选地与氧化剂一起投入熔炼炉中,将该残渣熔融并使其形成一种基本上含硅的熔融金属相和硅酸钙熔渣,最后将熔融金属相和惰性渣从冶炼炉中放出。$#! | ||
申请公布号 | CN1078176C | 申请公布日期 | 2002.01.23 |
申请号 | CN95190247.4 | 申请日期 | 1995.03.02 |
申请人 | 埃以凯姆公司 | 发明人 | I·J·艾克兰;M·文登尼斯;R·冈德森;R·扬森 |
分类号 | C01B33/037;//C07F7/16 | 主分类号 | C01B33/037 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 孟八一;魏金玺 |
主权项 | 1.一种用于处理来自有机氯硅烷的直接合成工艺的含铜残渣在浸出铜后所获的含硅固体残渣的方法,其特征在于,将固体残渣任选地与作为金属氧化物或含氧气体的氧化剂一起投入熔炼炉中,在其中将该残渣熔融并使其形成一种主要含硅的熔融金属相和硅酸钙熔渣,最后将熔融金属和惰性渣从熔炼炉中放出。 | ||
地址 | 挪威奥斯陆 |