| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine MRAM-Speicherzelle aus einem magnetoresistiven Widerstand (1) und einem Schalttransistor (2), bei der der magnetoresistive Widerstand (1) zwischen einer zum Wortleitungs-Stitch und auch zum Schreiben dienenden mittleren Metallisierungsebene (M1) und einer oberen Metallisierungsebene (M2) liegt. Eine Wortleitung-BOOST-Schaltung (B) ist im Stitch-Bereich jeder Zelle vorgesehen, so daß die kritische Spannung im magnetoresistiven Widerstand (1) nicht erreicht wird und dennoch der Schalttransistor (2) leitend geschaltet werden kann. <IMAGE></p> |
