| 发明名称 | 形成半导体器件微图样的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了形成半导体基底的微图样的方法,更具体说是涉及一种防止光致抗蚀图样中产生缺陷(如基蚀或基脚)的方法,该缺陷是由于有机抗反射涂层与光致抗蚀剂之间相互混合而产生的,通过对有机抗反射涂层进行固化处理,如离子注入或电子束固化,使该有机抗反射涂层表面形成碳化层来防止相互混合,从而防止缺陷的产生。 | ||
| 申请公布号 | CN1331486A | 申请公布日期 | 2002.01.16 |
| 申请号 | CN01123293.5 | 申请日期 | 2001.06.30 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 高次元;洪圣恩;郑旼镐;金珍秀;李根守;郑载昌 |
| 分类号 | H01L21/027;H01L21/3105;H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 黄益芬 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体器件的微图样的方法，包括：在半导体基底的顶部形成有机抗反射涂层，并进行烘硬处理；在有机抗反射涂层上进行固化处理，在其上形成碳化层；在碳化层上涂光致抗蚀层，并进行烘软处理；在光致抗蚀层上进行曝光和显影处理，而在其上形成光致抗蚀图样，从而形成成品材料；以及清洗该成品材料。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||