| 主权项 |
1.一种光记录媒体,系具有资讯层至少在厚度方向或磁道宽度方向之其中之一藉由物理的形状变化被形成资讯记录部并具备有反射膜,其特征为:上述反射膜,系具有反射膜构成藉由热记录可进行追加记录,而该反射膜,系分别对再生光将未记录状态之反射率做为R0,将记录状态之反射率做为R1时,则藉由构成在0.5[%]≦(︱R0-R1︱/R0)100[%]≦17[%]之范围使反射率进行变化。2.如申请专利范围第1项所记载之光记录媒体,系对上述反射膜之追加记录领域,藉由上述物理的形状变化与资讯记录部使至少一部分做为重叠位置藉由记录态样时,上述反射膜,系构成为,0.5[%]≦(︱R0-R1︱/R0)100[%]≦10[%]。3.如申请专利范围第1项所记载之光记录媒体,其中上述追加记录领域,系具有被形成上述物理的形状变化之资讯记录部被设于记录领域内或外者。4.如申请专利范围第1项所记载之光记录媒体,系将上述追加记录领域,藉由上述物理的形状变化具有资讯记录部做为记录领域内时,则上述追加记录领域,系被设于上述资讯记录部之最短周期以外者。5.如申请专利范围第1项所记载之光记录媒体,其中上述反射膜,系由金属膜或半导体膜所构成被做为单层构造膜所形成者。6.如申请专利范围第1项所记载之光记录媒体,其中上述反射膜,系由Al100-x Xx之Al合金膜所构成,而上述X,系Ge、Ti、Ni、Si、Tb、Fe、Ag之中至少有1种以上之元素,将上述1种以上之元素X,使上述Al合金膜中之组成比X,被选定形成为4<x<50[原子%]者。7.如申请专利范围第1项所记载之光记录媒体,其中上述反射膜,系由Al100-x-z Xx之Al合金膜所构成,而上述X,系Ge、Ti、Ni、Si、Tb、Fe、Ag之中至少有1种以上之元素,上述Z,系上述元素X以外之元素的1种以上之元素,将上述1种以上之元素X,使上述Al合金膜中之组成比x,被选定为4<x<50[原子%],而将上述1种以上之元素Z,使上述Al合金膜中之组成比z,被选定形成为0≦z≦5[原子%]者。8.如申请专利范围第1项所记载之光记录媒体,其中上述反射膜,系由Ag100-x Xx之Ag合金膜所构成,而上述X,系Ge、Ti、Ni、Si、Tb、Fe、Cr、Al之中至少有1种以上之元素,将上述1种以上之元素X,使上述Ag合金膜中之组成比x,被选定形成为5<x<50[原子%]者。9.如申请专利范围第1项所记载之光记录媒体,其中上述反射膜,系由Ag100-x-z Xx Zz之Ag合金膜所构成,而上述X,系Ge、Ti、Ni、Si、Tb、Fe、Cr、Al、Au之中至少有1种以上之元素,而将上述1种以上之元素X,使上述Ag合金膜中之组成比x,被选定形成为5<z<50[原子%],上述Z,系上述元素X以外之元素的1种以上之元素,而将上述1种以上之元素Z,使上述Ag合金膜中之组成比z,被选定形成为0≦z≦5[原子%]者。10.如申请专利范围第1项所记载之光记录媒体,其中上述反射膜,系由Cu100-x Xx之Cu合金膜所构成,而上述X,系Al、Ti、Cr、Ni、Fe之中至少有1种以上之元素,将上述1种以上之元素X,使上述Cu合金膜中之组成比x,被选定形成为5<x<40[原子%]者。11.如申请专利范围第1项所记载之光记录媒体,其中上述反射膜,系由Cu100-x-z Xx Zz之Cu合金膜所构成,而上述X,系Al、Ti、Cr、Ni、Fe之中至少有1种以上之元素,上述Z,系上述元素X以外之元素的1种以上之元素,而将上述1种以上之元素X,使上述Cu合金膜中之组成比x,被选定形成为5<z<40[原子%],而将上述1种以上之元素Z,使上述Cu合金膜中之组成比z,被选定形成为0≦z≦5[原子%]者。12.如申请专利范围第1项所记载之光记录媒体,其中上述反射膜,系藉由Si被构成者。13.如申请专利范围第1项所记载之光记录媒体,其中上述资讯层,系使第1资讯层及第2资讯层被层叠而成,由第1或第2资讯层侧对上述第1或第2资讯层被形成再生光照射,并使该再生光之射入侧的上述第1或第2资讯层之第1或第2反射膜,由Si被构成者。14.如申请专利范围第1项所记载之光记录媒体,其中上述资讯层,系使第1资讯层及第2资讯层被层叠而成,由第1或第2资讯层侧对上述第1或第2资讯层被形成再生光照射,并使该再生光之射入侧的上述第1或第2资讯层之第1或第2反射膜,由Ag100-x-z Xx Zz之Ag合金膜所构成,而上述X,系Ge、Ni、Si、Tb、Fe、Al、Ti、Pd、Cr、Au之中至少有1种以上之元素,将上述1种以上之元素X,使上述Ag合金膜中之组成比x,被选定形成为4.5≦x<40[原子%]者。15.如申请专利范围第1项所记载之光记录媒体,其中上述资讯层,系使第1资讯层及第2资讯层被层叠而成,由第1或第2资讯层侧对上述第1或第2资讯层被形成再生光照射,并使该再生光之射入侧的上述第1或第2资讯层之第1或第2反射膜,由Ag100-x-z Xx Zz之Ag合金膜所构成,而上述X,系Ge、Ni、Si、Tb、Fe、Al、Ti、Pd、Cr、Au之中至少有1种以上之元素,上述Z,系上述元素X以外之元素的1种以上之元素,将上述1种以上之元素Z,使上述Ag合金膜中之组成比z,被选定形成为4.5≦z<40[原子%]者。16.如申请专利范围第1项所记载之光记录媒体,其中上述资讯层,系使第1资讯层及第2资讯层被层叠而成,由第1或第2资讯层侧对上述第1或第2资讯层被形成再生光照射,并使该再生光之射入侧的上述第1或第2资讯层之第1或第2反射膜,由Au100-x Xx之Au合金膜所构成,而上述X,系Ti、Ge、Ni、Tb、Fe、Al、Pd、Cr、之中至少有1种以上之元素,使上述Au合金膜中之组成比x,被选定形成为4.5≦z<40[原子%]者。17.一种光记录方法,其特征为:系具有资讯层至少在厚度方向或磁道宽度方向之其中之一藉由物理的形状变化被形成资讯记录部并具备有反射膜,而上述反射膜,系具有反射膜构成藉由热记录可进行追加记录,分别对再生光将未记录状态之反射率做为R0,将记录状态之反射率做为R1时,则具有0.5[%]≦(︱R0-R1︱/R0)100[%]≦17[%]之构成对光记录媒体,藉由追加记录资讯信号被调制用以照射雷射光,使上述反射膜变质并使其反射率产生变化藉由热记录可进行追加记录。18.一种光再生方法,其特征为:系具有资讯层至少在厚度方向或磁道宽度方向之其中之一藉由物理的形状变化被形成资讯记录部并具备有反射膜,而上述反射膜,系具有反射膜构成藉由热记录可进行追加记录,分别对再生光将未记录状态之反射率做为R0,将记录状态之反射率做为R1时,则具有0.5[%]≦(︱R0-R1︱/R0)100[%]≦17[%]之构成对光记录媒体,用以照射雷射光,藉由其反射光之反射率变化根据微小变化可进行上述追加记录之再生。19.一种光记录装置,其特征为:系具有资讯层至少在厚度方向或磁道宽度方向之其中之一藉由物理的形状变化被形成资讯记录部并具备有反射膜,而上述反射膜,系具有反射膜构成藉由热记录可进行追加记录,分别对再生光将未记录状态之反射率做为R0,将记录状态之反射率做为R1时,则具有0.5[%]≦(︱R0-R1︱/R0)100[%]≦17[%]之构成对光记录媒体具备光记录装备,而该光记录装备,系具有雷射光之照射装备,对上述光记录媒体、根据追加记录资讯被调制,并藉由该雷射光之照射,使上述反射膜变质并使其反射率产生变化藉由热记录可进行追加记录。20.一种光再生装置,其特征为:系具有资讯层至少在厚度方向或磁道宽度方向之其中之一藉由物理的形状变化被形成资讯记录部并具备有反射膜,而上述反射膜,系具有反射膜构成藉由热记录可进行追加记录,分别对再生光将未记录状态之反射率做为R0,将记录状态之反射率做为R1时,则具有0.5[%]≦(︱R0-R1︱/R0)100[%]≦17[%]之构成对光记录媒体具备光再生装备,而该光再生装备,系具有:再生光照射装备,在上述光记录媒体用以照射再生光;及检测装备,由上述反射膜用以检测反射光;并由该检测装备将检测输出之微小变化做为上述追加记录之再生信号。21.一种光记录再生装置,其特征为:系具有资讯层至少在厚度方向或磁道宽度方向之其中之一藉由物理的形状变化被形成资讯记录部并具备有反射膜,而上述反射膜,系具有反射膜构成藉由热记录可进行追加记录,并分别对再生光具备有光记录装备及光再生装备,而该光记录再生装置,系具有雷射光之照射装备对上述光记录媒体根据追加记录资讯被调制,并藉由雷射光之照射使上述反射膜变质并使其反射率产生变化藉由热记录可进行追加记录,而上述光再生装备,系具有:再生光照射装备,在上述光记录媒体用以照射再生光;及检测装备,由上述反射膜用以检测反射光;并由该检测装备将检测输出之微小变化做为上述追加记录之再生信号。图式简单说明:第一图系根据本发明之光记录媒体之一例的要部概略剖面图。第二图系显示根据本发明之光记录媒体之一例的资讯记录部及追加记录部之关系的要部概略平面图。第三图系显示根据本发明之光记录媒体另外之一例的资讯记录部及追加记录部之关系的要部概略平面图。第四图系显示变更反射膜之组成的各例之记录功率及反射率之关系的测定结果图。第五图系提供于本发明之说明的再生输出波形图。第六图系根据本发明之光记录媒体另外之一例的要部概略剖面图。第七图系显示变更反射膜之组成的各例之记录功率及反射率之关系的测定结果图。第八图系根据本发明之光再生装置之一例的构成图。 |
