| 主权项 |
1.一种异物去除法,用以去除被处理物内部之异物, 其特征系在于: 将用以溶解上述异物之流体保持在超临界状态或 者亚临界状态下,让上述被处理物去接触上述流体 ,而将异物去除。2.如申请专利范围第1项所述之异 物去除法,其特征系在于: 上述被处理物,系由含有金属有机物之原料起反应 而生成之第1物质构成; 上述异物,系由含有金属有机物之原料起反应而生 成之含碳化合物,即第2物质构成。3.如申请专利范 围第2项所述之异物去除法,其特征系在于: 上述被处理物,系为让含有金属有机物之原料溶解 于它的溶剂之状态下而形成的膜。4.如申请专利 范围第3项所述之异物去除法,其特征系在于: 上述原料之溶剂,至少系属于碳氢化合物或者卤代 烃中之一者。5.如申请专利范围第4项所述之异物 去除法,其特征系在于: 上述原料,为含有DPM(二三甲基乙蝎甲烷)基之化合 物。6.如申请专利范围第1至5项中任一项之异物去 除法,其特征系在于: 以二氧化碳作上述流体。7.一种膜形成方法,系利 用具有起反应后能生成第1物质和第2物质之特性 的原料,于衬底上形成由上述第1物质而成的膜,其 特征系在于: 包括: 准备上述原料和用以溶解上述第2物质的溶剂的制 程(a); 将上述溶剂之温度和压力保持在超临界状态或者 亚临界状态的制程(b); 加热上述衬底以将衬底之表面温度保持在上述原 料能起反应之温度上,同时让上述原料于上述衬底 上和超临界状态或者亚临界状态之溶剂接触,而于 衬底上形成由上述第1物质而成之膜,并同时将上 述第2物质溶解于上述溶剂,以将它去除的制程(c) 。8.如申请专利范围第7项所述之膜形成方法,其特 征系在于: 上述溶剂,系具有在其超临界状态或者亚临界状态 下,能溶解上述原料之功能。9.如申请专利范围第7 项所述之膜形成方法,其特征系在于: 于上述制程(a)中,准备金属有机化合物作上述原料 。10.如申请专利范围第9项所述之膜形成方法,其 特征系在于: 于上述制程(a)中,准备含有DPM基的化合物,作上述 金属有机化合物。11.如申请专利范围第7至10项中 任一项之膜形成方法,其特征系在于: 于上述制程(a)中,准备作上述溶剂用的二氧化碳。 12.如申请专利范围第7至10项中任一项之膜形成方 法,其特征系在于: 于上述制程(c)中,形成常电介质膜、铁电材料膜以 及金属膜中的任一层膜,它为由上述第1物质而成 之膜。13.如申请专利范围第12项所述之膜形成方 法,其特征系在于: 于上述制程(c)中,形成上述常电介质膜、铁电材料 膜以及金属膜中的任一层晶态膜。14.如申请专利 范围第7至10项中任一项之膜形成方法,其特征系在 于: 上述衬底,系为其上至少有常电介质膜、铁电材料 膜以及金属膜此3层膜中之一的衬底。15.如申请专 利范围第7至10项中任一项之膜形成方法,其特征系 在于: 以半导体衬底作上述衬底。16.如申请专利范围第7 至10项中任一项之膜形成方法,其特征系在于: 于上述制程(c)中,形成晶态电介质膜或者金属膜, 它为由上述第1物质而成之膜。17.一种半导体器件 ,系在半导体衬底上有铁电材料层及闸电极之MIS型 半导体器件,其特征系在于: 将溶剂之温度和压力保持在超临界状态或者亚临 界状态下,让起反应而能生成第1物质和第2物质之 原料和用以溶解上述第2物质之溶剂,于半导体衬 底表面上接触,以形成上述铁电材料层。18.如申请 专利范围第17项所述之半导体器件,其特征系在于: 还有一常电介质层,其被设在上述铁电材料层和上 述半导体衬底之间; 将溶剂之温度和压力保持在超临界状态或者亚临 界状态下,让起反应而能生成第1物质和第2物质之 原料和用以溶解上述第2物质之溶剂在半导体衬底 上接触,以形成上述常电介质层。19.一种膜形成方 法,即于被处理物之表面上形成膜,其特征系在于: 将流体保持在超临界状态或者亚临界状态下,让上 述被处理物去接触上述流体,是以,于上述被处理 物之表面上,形成由上述被处理物中之物质和上述 流体中之物质起反应而生成之生成物的膜。20.如 申请专利范围第19项所述之膜形成方法,其特征系 在于: 以含氧元素之物质作上述流体; 于上述被处理物之表面上,形成上述被处理物中之 物质的氧化膜。21.如申请专利范围第20项所述之 膜形成方法,其特征系在于: 至少以水,氧及一氧化氮中之一件上述流体。22.如 申请专利范围第20项所述之膜形成方法,其特征系 在于: 以矽层作上述被处理物,于上述被处理物之表面上 形成二氧化矽膜。23.如申请专利范围第20项所述 之膜形成方法,其特征系在于: 以氮化矽层作上述被处理物,于上述被处理物之表 面上形成氮氧化矽膜。24.如申请专利范围第20至23 项中任一项之膜形成方法,其特征系在于: 让其上已形成有上述氧化膜的被处理物再去接触 超临界状态或者亚临界状态的含氮流体,以使上述 氧化膜成为氮氧化膜。25.如申请专利范围第21至23 项中任一项之膜形成方法,其特征系在于: 至少在水、氧及一氧化二氮此三种物质中之一种 中,添加上氧化促进物质,以它作上述流体。26.如 申请专利范围第25项所述之膜形成方法,其特征系 在于: 至少以臭氧(O3)、双氧水(H2O2)、二氧化氮(NO2)以及 一氧化氮(NO)中之一件上述氧化促进物质。27.如申 请专利范围第20至23项中任一项之膜形成方法,其 特征系在于: 将含氯元素的物质添加到含氧元素的物质中,以它 作上述流体。28.如申请专利范围第27项所述之膜 形成方法,其特征系在于: 至少以氯化氢、氯气、氯化钠、氯化钾、氯化钙 以及其他金属氯化物中之一,作上述含氯元素之物 质。29.如申请专利范围第20至23项中任一项之膜形 成方法,其特征系在于: 将能生成硷金属离子的物质添加到含氧元素的物 质中,以它作上述流体。30.如申请专利范围第19项 所述之膜形成方法,其特征系在于: 以含氮元素的物质作上述流体; 于上述被处理物之表面上,形成上途被处理物中之 物质的氮化膜。31.如申请专利范围第30项所述之 膜形成方法,其特征系在于: 至少以氮、氨以及胺系物质中之一作上述流体。 32.如申请专利范围第30或31项所述之膜形成方法, 其特征系在于: 以矽层作上述被处理物,于上述被处理物之表面上 形成氮化矽膜。33.一种膜形成装置,系用来于衬底 上形成由含有金属有机物的原料起反应而生成之 第1物质的膜,其特征系在于: 备有: 用以放置衬底的容器; 用以贮存上述原料和用以贮存溶解由原料起反应 而生成之第2物质的溶剂的贮存装置; 调节上述溶剂之温度和压力,以将上述溶剂保持在 超临界状态或者亚临界状态下的温度压力调节装 置; 用以将上述原料供到上述容器的原料供给装置; 让从上述原料供给装置供来的原料溶解在上述溶 剂中并控制原料浓度的原料浓度控制装置; 将上述衬底之表面温度维持在上述原料能起反应 之温度上的衬底温度控制机构。图式简单说明: 第一图(a)-第一图(d)为部份剖面图,其显示本发明 之第1实施形态中的薄膜形成制程。 第二图系显示二氧化碳、水等流体之状态的图。 第三图系显示丁香烯于纯二氧化碳中之溶解度对 压力之依存关系。 第四图为部份剖面图,概略地显示第2实施形所关 系之用以在超临界流体中形成薄膜之薄膜形成装 置的结构。 第五图(a)-第五图(d)系剖面图,其显示于第3实施形 态所关系之半导体器件的制造工艺中,至形成闸电 极为止的数个制程。 第六图(a)-第六图(c)系剖面图,其显示于第3实施形 态所关系之半导体器件的制造工艺中,从闸电极形 成之后至形成表面保护膜为止的数个制程。 第七图(a)-第七图(d)系剖面图,其显示于第4实施形 态所关系之半导体器件的制造工艺中,到形成闸电 极为止时的数个制程。 第八图(a)-第八图(c)系剖面图,其显示于第4实施形 态所关系之半导体器件的制造工艺中,从闸电极形 成后至形成配线层为止的数个制程。 第九图为部份剖面图,概略地显示于第4实施形态 中所使用之膜形成装置的结构。 第十图(a)-第十图(d)系剖面图,其显示利用了第4实 施形态的、包括氮氧化膜形成制程的、逻辑非 易失性储存器混载型半导体器件的制造工艺的一 部份。 第十一图系关系第4实施形态之第2变形形态的图, 它以压力为参数,表示水温和解离常数Kw间之关系 。 第十二图系关系第4实施形态之第2变形形态的图, 显示矽衬底暴露于压力分别为10MPa、25MPa、温度为 400℃之水中时,矽衬底之红外线吸收光谱。 第十三图(a)-第十三图(d)系剖面图,其显示利用了 第4实施形态所关系之氧化处理,制作第3变形形态 中之TFT的制程。 第十四图为Si-H2O系之氧化还原反应的电位-pH値平 衡图。 |
