| 摘要 |
채널에치형 TFT의 5매 마스크프로세스에서는 개구부 형성시에 드레인전극상에서 과식각이 발생한다. 또한 패시베이션절연층의 형성에서 트랜지스터 특성이 열화하기 쉽다. 더욱이 제조공정이 길어서 프로세스코스트가 낮아지지 않는다. 그 해결수단으로서, 소스배선과 드레인배선을 양극산화가능한 내열금속과 알루미늄합금의 적층으로 하고, 그 표면을 양극산화함과 동시에, 불순물을 포함하는 비정질실리콘층도 광마스크를 이용하여 산화실리콘층으로 변환하므로써 패시베이션절연층은 불필요하게 된다. 또한 노출된 주사선상에 새롭게 절연층을 형성하므로써 반도체층의 도화공정과 절연층으로의 개구부 형성공정을 합리화한다. |
