| 摘要 |
<p>데이터 입출력 라인의 저항값을 줄이는 데이터 입출력 라인 구조가 개시된다. 본 발명은 메모리 셀 데이터가 데이터 입출력 라인을 통하여 입출력되는 반도체 메모리 장치에 있어서, 데이터 입출력 라인은 메모리 셀의 비트라인과 연결되는 제1 금속층의 제1 신호 라인과 제1 신호 라인 위에 제1 신호 라인과 같은 방향으로 배선되는 제2 금속층의 제2 신호 라인과, 제1 신호 라인과 제2 신호 라인을 연결시키는 다수개의 스트래핑 접속을 구비하며 제2 금속층은 제1 금속층에 비하여 작은 저항값을 갖고, 제1 내지 제2 신호 라인은 메모리 셀의 비트라인 방향에 수직하게 배선된다.</p> |
