| 摘要 |
<p>본 발명은 플라즈마질화법을 이용하여 질소개스를 플라즈마상태로 활성화시킨 뒤 알루미늄의 표면과 접촉반응을 일으켜 질화알루미늄층을 형성시키는 알루미늄제 부품의 질화알루미늄층 형성방법에 관한 것으로, 본 발명의 실시로 저가의 알루미늄 합금에도 막형성이 가능해져 제조비용 절감이 가능하고, 질화알루미늄(AlN) 피막은 내식성이 좋을 뿐만 아니라 조직이 치밀하고 다공성이 없으므로 부식을 근본적으로 방지할 수 있으며, 또한 열전달계수가 알루미늄과 비슷한 200 - 300 W/mk 정도로 우수하며, 따라서 AlN은 융점 및 경도가 높고 열전도율도 알루미늄과 비슷하여 열전달 능력이 탁월하므로 내식성 향상에 따른 내구성 증가뿐만 아니라 열전달 효율의 향상에 의한 성능향상 및 에너지 절감 효과도 있다.</p> |
