| 摘要 |
<p>Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (100;...; 2200), insbesondere ein mehrschichtiges Halbleiterbauelement, vorzugsweise ein mikromechanisches Bauelement, wie insbesondere ein Drucksensor, das ein Halbleitersubstrat (101) aufweist, wie insbesondere aus Silizium, und von einem verfahrensgemäss hergestellten Halbleiterbauelement. Insbesondere zur Reduzierung der Herstellungskosten eines solchen Halbleiterbauelements wird vorgeschlagen, das Verfahren dahingehend weiterzubilden, dass in einem ersten Schritt eine erste poröse Schicht (104; 1001; 1301) in dem Halbleiterbauelement gebildet wird, und dass in einem zweiten Schritt ein Hohlraum bzw. eine Kaverne (201; 1101; 1201; 1401; 2101; 2201) unter oder aus der ersten porösen Schicht (104; 1001; 1301) in dem Halbleiterbauelement gebildet wird, wobei der Hohlraum bzw. die Kaverne mit einer externen Zugangsöffnung versehen sein kann.</p> |
