| 摘要 |
<p>본 발명은 박막트랜지스터 제조방법과 이에 의해 제조된 기판 및 박막트랜지스터에 관한 것으로, 본 발명에서는 레이저빔을 일정 스캔피치로 스캔하여 아모르포스 실리콘층을 폴리 실리콘층으로 결정화한 후, 폴리 실리콘층의 일부에 일정 이격피치로 이격된 액티브 패턴들을 형성시킬 때, 액티브 패턴들의 이격피치가 레이저빔의 스캔피치를 근거로 하여 조절되도록 한다. 이를 위하여, 본 발명에서는 액티브 패턴들의 이격피치가 레이저빔의 스캔피치와 예컨대,(여기서, Z′는 액티브 패턴들의 이격피치, Z는 레이저빔의 스캔피치, n은 정수)의 관계식을 이루도록 한다. 이 경우, 액티브 패턴들의 이격피치는 레이저빔의 스캔피치와 정수배를 이루게 된다. 이러한 본 발명이 실시되면, 각 액티브 패턴들은 결정화가 안정적으로 이루어진 폴리 실리콘 영역에만 형성되게 되며, 결국, 본 발명을 채용한 박막트랜지스터는 우수한 기능을 정상적으로 유지할 수 있다.</p> |
