| 发明名称 |
Method of forming selective metal layer and method of forming capacitor and filling contact hole using the same |
| 摘要 |
<p>반도체 소자의 제조공정에서 선택적 금속층 형성방법과 이를 이용한 커패시터 형성방법 및 콘택홀의 오믹층 형성 및 매립방법에 관해 개시한다. 본 발명은 절연막과 도전층이 적층된 반도체 기판에 선택적으로 증착되는 특성을 지닌 희생금속 소스가스를 공급하여 희생금속층을 도전층 위에 선택적으로 증착시킨다. 그리고 상기 희생금속층의 금속원자보다 더 작은 할로겐 결합력을 갖는 금속 할로겐화합물 가스를 공급하여 희생금속 원자와 할로겐화합물을 형성시키면서 상기 희생금속층을 티타늄 및 백금과 같은 증착금속층으로 치환시킨다. 이러한 공정을 커패시터 하부전극 및 콘택홀 바닥에 오믹층 형성공정에 이용하여 500℃ 이하의 저온에서 선택적으로 금속층을 형성하는 것이 가능하다.</p> |
| 申请公布号 |
KR100319888(B1) |
申请公布日期 |
2002.01.10 |
| 申请号 |
KR19990017362 |
申请日期 |
1999.05.14 |
| 申请人 |
null, null |
发明人 |
강상범;채윤숙;이상인;임현석;윤미영 |
| 分类号 |
H01L21/28;C23C16/04;H01L21/02;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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