| 摘要 |
<p>본 발명의 목적은 '제1상태' 및 '제2상태'의 정보를 프로그램할 때 1개의 셀만을 독립적으로 선택할 수 있고 드레인 디스터브(Disturb)가 발생하지 않는, 1T형 강유전체 메모리 장치의 셀 어레이 구조와 그의 구동 방법을 제공하고자 하는 것으로, 이를 위한 본 발명의 강유전체 메모리 장치는, 강유전체 트랜지스터를 셀로서 구비한 비휘발성 강유전체 메모리 장치에 있어서, 로우(row)와 컬럼(column) 방향으로 매트릭스 배열된 다수의 강유전체 트랜지스터 셀; 각 로우 방향의 상기 강유전체 트랜지스터들의 각 게이트전극에 공통 접속된 다수의 워드라인; 각 컬럼 방향의 상기 강유전체 트랜지스터들의 일측접합에 공통 접속된 다수의 소스라인; 각 컬럼 방향의 상기 강유전체 트랜지스터들의 타측접합에 공통 접속된 다수의 비트라인; 및 각 칼럼 방향의 상기 강유전체 트랜지스터들의 웰에 공통 접속된 다수의 웰라인을 포함하며, 상기 웰라인은 이웃하는 컬럼의 웰라인과 서로 전기적으로 분리된 것을 특징으로 한다.</p> |
