| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项之表面电浆波超解析无机材料型记一次式光碟结构,其中在所述PC基材及介电层之间加上一层反射层。3.如申请专利范围第1项之表面电浆波超解析无机材料型记一次式光碟结构,其中所述第一介电层及/或第二介电层为多层结构。4.如申请专利范围第1或3项之表面电浆波超解析无机材料型记一次式光碟结构,其中所述第一介电层、第二介电层之材料可选自下列材料所构成的组群:SiNX、GeNX、AlNX、及TiNX。5.如申请专利范围第2项之表面电浆波超解析无机材料型记一次式光碟结构,其中所述反射层之材料可选自下列材料所构成的组群:铝、铝合金、金、银。6.如申请专利范围第1项之表面电浆波超解析无机材料型记一次式光碟结构,其中所述金属层可选自下列材料所构成的组群:镓、锗、砷、硒、铟、锡、锑、碲、及银。7.如申请专利范围第1项之表面电浆波超解析无机材料型记一次式光碟结构,其中所述第一介电层、金属层、第二介电层之较佳厚度范围为10nm至100nm。8.如申请专利范围第1项之表面电浆波超解析无机材料型记一次式光碟结构,其中所述无机材料记录层系由一包含有碲、锗、锑合金系列或铟、银、锑、碲合金系列的材料所构成。9.一种表面电浆波超解析光碟结构,其特征为在此光碟结构中至少包含一个由上介电层/金属层/下介电层所构成的三层结构,所述三层结构可以在波长范围300nm至800nm内产生表面电浆波及近场光学效应,以使读取光点在经所述三层结构时有聚光效果。10.如申请专利范围第9项之表面电浆波超解析光碟结构,其中上介电层、金属层、下介电层之较佳厚度范围为10nm至100nm。11.如申请专利范围第9项之表面电浆波超解析光碟结构,其中上介电层及/或下介电层为多层结构。图式简单说明:第一图说明利用近场探针进行光储存媒体的高度记录与读取;第二图说明利用一层约15nm左右之光学非线性薄膜进行光学进场效果之控制;第三图为雷射光束入射包含锑金属薄膜之超解析近场结构的示意图;第四图为电磁波在锑金属薄膜中产生共振现象的示意图;第五图之p-wave穿透率分布图(与入射角及Sb厚度变化关系),其中p-wave为垂直于入射面方向的横向电场;第六图为厚15nm的Sb薄膜其p-wave之穿透率;第七图为s-wave穿透率分布图(与入射角及Sb厚度变化关系),其中s-wave为垂直于入射面方向的横向磁场;第八图为厚15nm的Sb薄膜其s-wave之穿透率;第九图显示=635nm,锑厚度为15nm时穿透率的强度分布状况;第十图为说明表面电浆波效果所致的光点直径之图形;第十一图为本创作之第一具体实例;第十二图为本创作之第二具体实例;第十三图为本创作之第三具体实例;以及第十四图为本创作之第四具体实例。 |
