| 主权项 |
1.一种半导体晶圆之蚀刻方法,其特征系将金属矽及/或矽化合物溶解于硷溶液中,利用此时产生之反应生成物使硷溶液中的金属离子产生非离子化进行硷溶液之纯化处理,使用此纯化处理后之硷溶液蚀刻半导体晶圆。2.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述金属矽为多晶矽及/或单晶矽。3.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述矽化合物为二氧化矽及/或矽酸盐。4.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述矽的溶解量为0.2g/l以上。5.如申请专利范围第2项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述矽的溶解量为0.2g/l以上。6.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述矽化合物中所含之Si的溶解量为5g/l以上。7.如申请专利范围第3项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述矽化合物中所含之Si的溶解量为5g/l以上。8.一种半导体晶圆之蚀刻方法,其特征系氢气体溶于硷溶液中使硷溶液中的金属离子产生非离子化进行硷溶液之纯化处理,使用此纯化处理后之硷溶液蚀刻半导体晶圆。9.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述硷溶液为氢氧化钠或氢氧化钾溶液。10.如申请专利范围第2项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述硷溶液为氢氧化钠或氢氧化钾溶液。11.如申请专利范围第3项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述硷溶液为氢氧化钠或氢氧化钾溶液。12.如申请专利范围第4项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述硷溶液为氢氧化钠或氢氧化钾溶液。13.如申请专利范围第5项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述硷溶液为氢氧化钠或氢氧化钾溶液。14.如申请专利范围第6项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述硷溶液为氢氧化钠或氢氧化钾溶液。15.如申请专利范围第7项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述硷溶液为氢氧化钠或氢氧化钾溶液。16.如申请专利范围第8项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述硷溶液为氢氧化钠或氢氧化钾溶液。17.如申请专利范围第1-3项中任一项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述金属离子为铜离子及/或镍离子。18.如申请专利范围第4项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述金属离子为铜离子及/或镍离子。19.如申请专利范围第5项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述金属离子为铜离子及/或镍离子。20.如申请专利范围第6项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述金属离子为铜离子及/或镍离子。21.如申请专利范围第7项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述金属离子为铜离子及/或镍离子。22.如申请专利范围第8项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述金属离子为铜离子及/或镍离子。23.如申请专利范围第9项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述金属离子为铜离子及/或镍离子。24.如申请专利范围第10项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述金属离子为铜离子及/或镍离子。25.如申请专利范围第11项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述金属离子为铜离子及/或镍离子。26.如申请专利范围第12项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述金属离子为铜离子及/或镍离子。27.如申请专利范围第13项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述金属离子为铜离子及/或镍离子。28.如申请专利范围第14项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述金属离子为铜离子及/或镍离子。29.如申请专利范围第15项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述金属离子为铜离子及/或镍离子。30.如申请专利范围第16项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述金属离子为铜离子及/或镍离子。31.如申请专利范围第1-16项中任一项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中使用前述金属离子浓度为50ppb以下之硷溶液。32.如申请专利范围第17项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中使用前述金属离子浓度为50ppb以下之硷溶液。33.如申请专利范围第18-30项中任一项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中使用前述金属离子浓度为50ppb以下之硷溶液。34.如申请专利范围第4-16项中任一项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述半导体晶圆为半导体矽晶圆。35.如申请专利范围第17项之半导体晶圆之蚀刻方法,其中前述半导体晶圆为半导体矽晶圆。36.如申请专利范围第18-30项中任一项之半导体晶圆的蚀刻方法,其中前述半导体晶圆为半导体矽晶圆。图式简单说明:第一图表示实施例1之多晶矽投入后的经过时间与氢氧化钠溶液中之铁离子浓度及镍离子浓度的关系图。第二图表示实施例2之单晶矽投入后之经过时间与氢氧化钠溶液中之铁离子浓度及镍离子浓度的关系图。第三图表示实施例3之多晶矽的溶解量与氢氧化钠溶液中的镍离子浓度的关系图。第四图表示实施例4之二氧化矽溶解前后之氢氧化钠溶液中的铁离子浓度及镍离子浓度的关系图。第五图表示实施例5之矽酸盐添加浓度与氢氧化钠溶液中之镍离子浓度的关系图。第六图表示实施例6之吹入氢气与氢氧化钠溶液中之铁离子浓度及镍离子浓度的关系。第七图表示使用实施例7之多晶矽纯化之氢氧化钠溶液进行蚀刻及另外使用未纯化之氢氧化钠溶液进行蚀刻时之晶圆上的镍浓度图。第八图表示使用实施例8之多晶矽纯化之氢氧化钠溶液进行蚀刻及另外使用未纯化之氢氧化钠溶液进行蚀刻时之晶圆上的镍浓度图。第九图表示使用实施例9之二氧化矽纯化之氢氧化钠溶液进行蚀刻及另外使用未纯化之氢氧化钠溶液进行蚀刻时之晶圆上的镍浓度图。第十图表示使用实施例10之矽酸盐纯化之氢氧化钠溶液进行蚀刻及另外使用未纯化之氢氧化钠溶液蚀刻时之晶圆上之镍浓度图。第十一图表示使用实施例11之离子交换树脂之氢氧化钠溶液的高纯度化中,氢氧化钠溶液的循环时间与氢氧化钠溶液中之铁离子,镍离子的关系图。第十二图表示实施例12之硷蚀刻后之晶圆上的镍浓度与氢氧化钠溶液中之镍离子浓度的关系图。第十三图表示实施例12之硷蚀刻后之晶圆上的铜浓度与氢氧化钠溶液中之铜离子浓度的关系图。第十四图表示实施例12之硷蚀刻后之晶圆上的铁浓度与氢氧化钠溶液中之铁离子浓度的关系图。 |
