| 摘要 |
<p>반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 제1 단계에서, 하층 배선이 제1 층간 절연막을 개재한 반도체 기판 상에 형성된다. 제2 단계에서는, 제2 층간 절연막이 하층 배선을 포함하는 반도체 기판 상에 형성된다. 제3 단계에서는, 하층 배선에 도달하는 스루홀이 제2 층간 절연막 내에 형성된다. 제4 단계에서는, 제3 단계가 종료된 후 스루홀의 바닥부에 노출된 측면을 포함하는 하층 배선의 표면이 반도체 기판을 대기에 노출시키지 않고 에칭된다. 제5 단계에서는, 도전성 재료로 만들어진 플러그가 스루홀 내에 형성된다. 제6 단계에서는, 플러그에 접속되는 상층 배선이 제2 층간 절연막 상에 형성된다.</p> |
