| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer planaren Maske auf topologiehaltigen Oberflächen, wobei Vertiefungen (V) mit einem selektiven Oxid (1) aufgefüllt werden und anschliessend eine konforme Maskenschicht (2) und eine Antireflexionsschicht (3) ausgebildet wird. Aufgrund dieser verbesserten Planarität wird ein grösseres Lithographie-Prozessfenster erreicht. Gleichzeitig ermöglicht die Verwendung dünnerer organischer ARC-Schichten einen geringeren Lackverbrauch während der Ätzung und damit ein verbessertes Ätzprozessfenster.</p> |
