| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft einen Laserresonator (1) für Halbleiterlaser mit einer wellenleitenden Schicht (3), die zwischen einem Substrat (2) und einem Superstrat (4) angeordnet ist, wobei die wellenleitende Schicht (2), das Substrat (2) und/oder das Superstrat (4) des Laserresonators (1) mindestens eine Phasenstruktur (8, 8', 9, 9') aufweist, die derart örtlich variiert, dass zumindest ein vorbestimmter Lasermode (11) in seiner Ausbreitungscharakteristik beeinflusst wird.</p> |
