NON-VOLATILE NOR TWO-TRANSISTOR SEMICONDUCTOR MEMORY CELL, A CORRESPONDING NOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

摘要

Die Erfindung betrifft eine nichtflüchtige NOR-Zweitransistor-Halbleiterspeicherzelle, eine dazugehörige Halbleiterspeichereinrichtung sowie ein Verfahren zu deren Herstellung, bei der Eintransistor-Speicherzellen (T1, T2) in einem ringförmig ausgebildeten aktiven Bereich (AA) liegen und über dazugehörige Wortleitungen (WL1, WL2) angesteuert werden. Die Sourcegebiete (S1, S2) der Eintransistor-Speicherzellen (T1, T2) werden hierbei über eine Sourceleitung (SL1) angeschlossen, während die Draingebiete (D1, D2) über entsprechende Drainleitungen (DL1) angeschlossen werden. Insbesondere aufgrund der ringförmigen Struktur der aktiven Bereiche (AA) erhält man einen verringerten Platzbedarf für die Zweitransistor-Halbleiterspeicherzelle.