发明名称 |
Improved reading non-volatile semiconductor memory device |
摘要 |
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申请公布号 |
EP0725403(B1) |
申请公布日期 |
2001.12.12 |
申请号 |
EP19960101368 |
申请日期 |
1996.01.31 |
申请人 |
SONY CORPORATION |
发明人 |
HAYASHI, YUTAKA;YAMAGISHI, MACHIO |
分类号 |
H01L21/8247;G11C11/56;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):G11C11/56 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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