| 发明名称 | 镶嵌结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种镶嵌结构的制造方法,提供一个基底,再在基底上形成介电层,其中此介电层的材质是氮氧硅化物,且介电层的反射率在1.55至1.74左右;接着,在介电层中形成开口,再在基底上形成填满开口的金属层;然后,以介电层表面为研磨终点,以化学机械研磨法移除开口之外的金属层,其中介电层的被研磨移除率小于金属层的被研磨移除率。 | ||
| 申请公布号 | CN1326222A | 申请公布日期 | 2001.12.12 |
| 申请号 | CN01129351.9 | 申请日期 | 2001.06.13 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 郑吉峰;薛正诚 |
| 分类号 | H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种镶嵌结构的制造方法，其特征在于：该制造方法包括下列步骤：提供一基底；在该基底上形成一介电层，其中该介电层的材质为氮氧硅化物，且该介电层的反射率为1.55至1.74左右；在该介电层中形成一开口；在该介电层上形成填满该开口的一金属层；以该介电层表面为研磨终点，以化学机械研磨法移除该开口之外的该金属层，其中该介电层的被研磨移除率小于该金属层的被研磨移除率。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||