| 摘要 |
단결정 잉곳으로 슬라이스된 반도체 웨이퍼를 가공하는 방법은, 웨이퍼 두께를 감소시키고 웨이퍼의 슬라이싱으로 유발된 손상을 제거하기 위해 웨이퍼 전면과 후면에 대해 래핑 작업을 포함한다. 그 후, 웨이퍼 두께를 더 감소시키고 래핑 작업 후에 남아있는 손상을 더 제거하기 위해서 웨이퍼는 부식 작업을 받게된다. 래핑 작업과 부식 작업으로 유발된 전면과 후면 손상을 균일하게 제거하기 위해서 웨이퍼는 연속적으로 양면 연마 작업을 받게되고, 이로 인해 웨이퍼의 편평도를 증가시키고, 연마된 전면과 후면을 남긴다. 최종적으로, 웨이퍼 후면은 후면 손상 작업을 받게되고, 전면은 실적으로 손상이나 거칠어짐으로부터 보호되지만 웨이퍼 후면은 손상된다. 본 발명의 압력 분사기는 압력 분사기 내에서 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 홀더를 포함하고, 지지면과 웨이퍼 전면 사이의 손상 접촉을 방지하기 위해 전면은 분사기의 지지면으로부터 상방 소정의 거리에서 홀더에 의해 지지되며, 웨이퍼 후면은 분사된 연마 슬러리에 노출된다. |
