首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Verfahren zur Bildung eines Elementisolationsbereichs mit einer die Kristallisation von Silizium unterdrückenden dotierten Siliziumschicht
摘要
申请公布号 DE19525580(C2) 申请公布日期 2001.12.06
申请号 DE19951025580 申请日期 1995.07.13
申请人 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORP., TOKIO/TOKYO 发明人 KOBAYASHI, TOSHIO;NAKAYAMA, SATOSHI
分类号 H01L21/316;H01L21/318;H01L21/32;H01L21/76;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/762 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com