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Die Anwendung der Erfindung ist für Halbleiterbauelemente gegeben, deren Substrat aus kristallinem Siliziumkarbid (nachstehend als SiC bezeichnet) besteht, welches vollständig oder in Bereichen p-dotiert ist. DOLLAR A Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Ohmsche Kontakte mit geringem Kontaktwiderstand auf p-leitenden SiC-Halbleiterbereichen zu erzeugen, wobei die Maximaltemperatur bei der Prozessführung 1000 DEG C nicht überschreiten soll. DOLLAR A Das Wesen der Erfindung besteht darin, dass vor der Metallschichtabscheidung die Oberflächenschicht des Siliziumkarbid-Halbleiters durch eine Ionenimplantation amorphisiert und anschließend durch eine weitere Ionenimplantation bei erhöhter Temperatur in eine nanokristalline Phase mit geringem Kontaktwiderstand umgewandelt wird. DOLLAR A Dazu können zur Amorphisierungsimplantation nichtdotierende Ionen, wie Edelgasionen oder Ionen der 4. Hauptgruppe des PSE, ebenso wie dotierende Ionen der 3. Hauptgruppe des PSE verwendet werden. Es sollten während der Amorphisierungsimplantation die Siliziumkarbid-Halbleiterbereiche auf einer Temperatur kleiner als 200 DEG C gehalten werden und die weitere Implantation in einem Temperaturbereich von 300 DEG bis 800 DEG C erfolgen.
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