降低导通电阻値及增加耐雪崩崩溃电流能力之功率MOSFET装置及其制造方法

摘要

本发明揭示一种降低导通电阻值及增加耐雪崩崩溃电流能力之功率MOSFET装置及其制造方法，其中该装置系将源极金属接点下方之磊晶层采用整个重掺杂之方式加上降低Rj区电阻系数且利用功率MOSFET之平面技术之制程来执行以降低接触电阻值(Rc)及接面电阻值(Rj)，使得导通电阻值(Ron)可大幅地减少，及操作温度可大量地降低，且由于源极金属层下之接面区系等电位之PN重掺杂层，反向漏电流大部分流经P层至源极，因此层为重掺杂不易产生压降，所以反向漏电流之急变现象不易发生，且可以提高耐雪崩崩溃电流之能力，进而保护元件在电路上的各类瞬间电源不稳变化。

主权项

1.一种降低导通电阻値之功率MOSFET装置之制造方法,该方法包含下列步骤:1)成长磊晶层晶圆,使依序地具有第一导电型重掺杂多晶矽层当作汲极,及第一导电型微掺杂层,然后离子布植第二导电型重掺杂层;2)以光罩离子布植第一导电型微掺杂物以形成第二导电型微掺杂物阱,然后去除光罩;3)以光罩离子布植第一导电型重掺杂物于该第二导电型掺杂物阱之中,当作Rj接面电阻区,然后去除光罩;4)成长当作介电质层之闸极氧化物层及当作闸极电极之多晶矽层,然后蚀刻出当作源极之第一导电型重掺杂物接触区及离子布植第一导电型重掺杂物于该第一导电型重掺杂物接触区;5)成长硼磷矽酸盐玻璃(BPSG)以保护该闸极电极及蚀刻其余未保护处之闸极氧化物及多晶矽闸极电极层;以及6)金属化该源极之接点。2.一种降低导通电阻値之功率MOSFET装置,其特征为该装置系将源极金属接点下方之相同掺杂物磊晶层采用整个重掺杂的方式而利用磊晶成长之平面技术的制程来执行以降低接触电阻値(Rc)及接面电阻値(Rj),使得导通电阻値可大幅地减少且操作温度可大量地降低。3.如申请专利范围第2项之降低导通电阻値之功率MOSFET装置,其中该装置系根据申请专利范围第1项中所述之方法予以制成。图式简单说明:第一图系概略图,显示习知技术功率MOSFET装置的结构;以及第二图至第八图系概略图,显示根据本发明功率MOSFET之制造方法的过程,其中该第八图系本发明功率MOSFET装置之完成图示。