| 主权项 |
1.一种覆晶晶片,包括:一晶片,该晶片具有一主动表面,该主动表面具有一保护层及复数个焊垫,其中该保护层具有复数个第一开口分别对应于该些焊垫,每一该些焊垫具有至少一第二开口,每一该些第一开口分别对应于该些第二开口之一的位置,而每一该些第二开口与对应之每一该些第一开口相贯通,每一该些第一开口的截面积大致等于对应之该些第二开口的截面积,并且该些第二开口贯穿该些焊垫;复数个球底金属块,每一该些球底金属块分别嵌入于该些焊垫之一的该第一开口及该第二开口内;以及复数个凸块,每一该些凸块分别位于该些球底金属块之一上。2.如申请专利范围第1项所述之覆晶晶片,其中该晶片内部更具有一绝缘层,而该绝缘层与该些焊垫之底部接触,在对应于每一该些焊垫的该绝缘层区域形成复数个贯孔,该些贯孔贯穿该绝缘层,且每一该些贯孔内填充有一导电材质,而该些球底金属块分别与该导电材质电性连接。3.一种覆晶晶片,包括:一晶片,该晶片具有一主动表面,该主动表面具有一保护层及复数个焊垫,其中该保护层具有复数个第一开口分别对应于该些焊垫,每一该些焊垫具有至少一第二开口,每一该些第一开口分别对应于该些第二开口之一的位置,而每一该些第二开口与对应之每一该些第一开口相贯通,每一该些第一开口的截面积大致等于对应之该些第二开口的截面积,并且该些第二开口并未完全贯穿该些焊垫,仅贯穿该些焊垫之部份;复数个球底金属块,每一该些球底金属块分别嵌入于该些焊垫之一的该第一开口及该第二开口内;以及复数个凸块,每一该些凸块分别位于该些球底金属块之一上。4.如申请专利范围第3项所述之覆晶晶片,其中对应于每一该些第二开口区域,该些焊垫之厚度介于500埃至2000埃的范围之间。5.如申请专利范围第3项所述之覆晶晶片,其中该晶片内部更具有一绝缘层,而该绝缘层与该些焊垫底部接触,在对应于每一该些焊垫的该绝缘层区域形成复数个贯孔,该些贯孔贯穿该绝缘层,且每一该些贯孔内填充有一导电材质与该些焊垫接触。6.一种覆晶晶片,包括:一晶片,该晶片具有一主动表面,该主动表面具有复数个焊垫,并且在该主动表面上还具有一绝缘结构体,该绝缘结构体具有复数个孔洞分别对应于该些焊垫,每一该些焊垫具有至少一第二开口,每一该些孔洞分别对应于该些第二开口之一的位置,而每一该些第二开口与对应之每一该些孔洞相贯通,每一该些孔洞的截面积大致等于对应之该些第二开口的截面积;复数个球底金属块,每一该些球底金属块分别嵌入于该些焊垫之一的该孔洞及该第二开口内;以及复数个凸块,每一该些凸块分别位于该些球底金属块之一上。7.如申请专利范围第6项所述之覆晶晶片,其中该绝缘结构体的材质包括聚亚醯胺,且该绝缘结构体与该些焊垫之间还包括一保护层。8.如申请专利范围第6项所述之覆晶晶片,其中该晶片内部更具有一绝缘层,而该绝缘层与该些焊垫接触,在对应于每一该些焊垫的该绝缘层区域形成复数个贯孔,该些贯孔贯穿该绝缘层,且每一该些贯孔内填充有一导电材质。9.如申请专利范围第6项所述之覆晶晶片,其中该些第二开口贯穿该些焊垫,而该些球底金属曾分别与该导电材质电性连接。10.如申请专利范围第6项所述之覆晶晶片,其中该些第二开口并未完全贯穿该些焊垫,仅贯穿该些焊垫之部份。11.如申请专利范围第10项所述之覆晶晶片,其中对应于每一该些第二开口区域,该些焊垫之厚介于500埃至2000埃的范围之间。12.一种晶片,该晶片具有一主动表面,该主动表面具有一保护层及复数个焊垫,其中该保护层具有复数个第一开口分别对应于该些焊垫,每一该些焊垫具有至少一第二开口,每一该些第一开口分别对应于该些第二开口之一的位置,并且每一该些第二开口与对应之每一该些第一开口相贯通,而每一该些第一开口的截面积大致等于对应之该些第二开口的截面积。13.如申请专利范围第12项所述之晶片,其中该第二开口贯穿该焊垫。14.如申请专利范围第12项所述之晶片,其中该第二开口并未完全贯穿该焊垫,仅贯穿该焊垫之部份。15.如申请专利范围第14项所述之晶片,其中对应于每一该些第二开口区域,该些焊垫之厚度介于500埃至2000埃的范围之间。16.一种晶片,该晶片具有一主动表面,该主动表面具有复数个焊垫,并且在该主动表面上还具有一绝缘结构体,该绝缘结构体具有复数个孔洞分别对应于该些焊垫,每一该些焊垫具有至少一第二开口,每一该些孔洞分别对应于该些第二开口之一的位置,并且每一该些第二开口与对应之每一该些孔洞相贯通,而每一该些孔洞的截面积大致等于对应之该些第二开口的截面积。17.如申请专利范围第16项所述之晶片,其中该第二开口贯穿该焊垫。18.如申请专利范围第16项所述之晶片,其中该第二开口并未完全贯穿该焊垫,仅贯穿该焊垫之部份。19.如申请专利范围第18项所述之晶片,其中对应于每一该些第二开口区域,该些焊垫之厚度介于500埃至2000埃的范围之间。20.一种覆晶晶片制程,包括:提供一晶片,该晶片具有一主动表面,该主动表面具有一保护层及复数个焊垫,在该些焊垫上具有一探针痕迹分布区域,而该保护层具有复数个第一开口,每一该些第一开口分别暴露出该些焊垫之一;进行一制作第二开口之制程,形成至少一第二开口于每一该些焊垫,该些第二开口贯穿该些焊垫,并且每一该些第二开口与对应之每一该些第一开口相贯通,而该些第二开口的截面积大致等于对应之该些第一开口的截面积;以及进行一制作凸块之制程。21.如申请专利范围第20项所述之覆晶晶片制程,其中该晶片内部更具有一绝缘层,而该绝缘层与该些焊垫接触,在对应于每一该些焊垫的该绝缘层区域形成复数个贯孔,该些贯孔贯穿该绝缘层,且每一该些贯孔内填充有一导电材质,而该第二开口暴露出该些导电材质。22.如申请专利范围第20项所述之覆晶晶片制程,其中该些第二开口的制作方式,系利用该保护层为蚀刻罩幕,而进行蚀刻,其蚀刻的方式系选自于由乾蚀刻及湿蚀刻所组成的族群中之一种方式。23.一种覆晶晶片制程,包括:提供一晶片,该晶片具有一主动表面,该主动表面具有一保护层及复数个焊垫,在该些焊垫上具有一探针痕迹分布区域,而该保护层具有复数个第一开口,每一该些第一开口分别暴露出该些焊垫之一;进行一制作第二开口之制程,形成至少一第二开口于每一该些焊垫,而该些第二开口并未完全贯穿该些焊垫,仅贯穿该些焊垫之部份,并且每一该些第二开口与对应之每一该些第一开口相贯通,该些第二开口的截面积大致等于对应之该些第一开口的截面积;以及进行一制作凸块之制程。24.如申请专利范围第23项所述之覆晶晶片制程,其中对应于每一该些第二开口区域,该些焊垫之厚度介于500埃至2000埃的范围之间。25.如申请专利范围第23项所述之覆晶晶片制程,其中该晶片内部更具有一绝缘层,而该绝缘层与该些焊垫接触,在对应于每一该些焊垫的该绝缘层区域形成复数个贯孔,该些贯孔贯穿该绝缘层,且每一该些贯孔内填充有一导电材质与该些焊垫接触。26.如申请专利范围第23项所述之覆晶晶片制程,其中该些第二开口的制作方式,系利用该保护层为蚀刻罩幕,而进行蚀刻,其蚀刻的方式系选自于由乾蚀刻及湿蚀刻所组成的族群中之一种方式。27.一种覆晶晶片制程,包括:提供一晶片,该晶片具有一主动表面,该主动表面具有复数个焊垫,在该些焊垫上具有一探针痕迹分布区域,并且在该主动表面上还具有一绝缘结构体,而该绝缘结构体具有复数个孔洞,每一该些孔洞分别暴露出该些焊垫之一;进行一制作第二开口之制程,形成至少一第二开口于每一该些焊垫,而每一该些第二开口与对应之每一该些孔洞相贯通,并且该些第二开口的截面积大致等于对应之该些孔洞的截面积;以及进行一制作凸块之制程。28.如申请专利范围第27项所述之覆晶晶片制程,其中该绝缘结构体的材质包括聚亚醯胺,且该绝缘结构体与该些焊垫之间还包括一保护层。29.如申请专利范围第27项所述之覆晶晶片制程,其中该晶片内部具有一绝缘层,而该绝缘层与该些焊垫接触,在对应于每一该些焊垫的该绝缘层区域形成复数个贯孔,该些贯孔贯穿该绝缘层,且每一该些贯孔内填充有一导电材质。30.如申请专利范围第27项所述之覆晶晶片制程,其中该些第二开口贯穿该些焊垫,而该些第二开口分别暴露出该导电材质。31.如申请专利范围第27项所述之覆晶晶片制程,其中该些第二开口并未完全贯穿该些焊垫,仅贯穿该些焊垫之部份。32.如申请专利范围第31项所述之覆晶晶片制程,其中对应于每一该些第二开口区域,该些焊垫之厚度介于500埃至2000埃的范围之间。33.如申请专利范围第27项所述之覆晶晶片制程,其中该些第二开口的制作方式,系利用该绝缘结构体为蚀刻罩幕,而进行蚀刻,其蚀刻的方式系选自于由乾蚀刻及湿蚀刻所组成的族群中之一种方式。图式简单说明:第一图绘示习知覆晶晶片对应于凸块区域之剖面放大示意图。第二图绘示对应于第一图中区域150之局部放大图。第三图至第六图绘示依照本发明第一较佳实施例的一种覆晶制程对应于制作凸块区域之剖面放大示意图。第七图绘示本发明第二较佳实施例的一种覆晶结构对应于凸块区域之剖面放大示意图。第八图绘示本发明第三较佳实施例的一种覆晶结构对应于凸块区域之剖面放大示意图。第九图与第十图绘示本发明第四较佳实施例的一种覆晶制程对应于制作凸块区域之剖面放大示意图。第十一图绘示本发明第五较佳实施例的一种覆晶结构对应于凸块区域之剖面放大示意图。第十二图绘示本发明第六较佳实施例的一种覆晶结构对应于凸块区域之剖面放大示意图。第十三图绘示本发明第七较佳实施例的一种覆晶结构对应于凸块区域之剖面放大示意图。第十四图绘示本发明第八较佳实施例的一种覆晶结构对应于凸块区域之剖面放大示意图。 |
