| 主权项 |
1.一种于半导体装置活动区之植入时保护半导体 装置闸极的方法,该方法包括下列之步骤: 于半导体装置之基底上形成闸极; 于该闸极及该活动区上沉积氧化层;以及 透过氧化层植入该活动区。2.如申请专利范围第1 项所述之方法,其中,形成该闸极的步骤包含蚀刻 步骤。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中, 该蚀刻步骤包含蚀刻具有第一及第二多晶矽闸极 之叠积闸极的步骤。4.如申请专利范围第2项所述 之方法,其中,该沉积步骤包含由化学气相沉积一 保角之氧化层的沉积步骤。5.如申请专利范围第2 项所述之方法,其中,该沉积步骤包含在750至900℃ 间的温度下由化学气相沉积的沉积步骤。6.如申 请专利范围第2项所述之方法,其中,该沉积步骤包 含沉积在800至850℃间的温度由化学气相沉积的步 骤。7.如申请专利范围第2项所述之方法,其中,该 沉积步骤包含在800至850℃间的温度下由低压化学 气相沉积的沉积步骤。8.如申请专利范围第7项所 述之方法,其中,该沉积步骤包含沉积大约100至300 厚度之氧化层的步骤。9.如申请专利范围第8项 所述之方法,其中,该沉积步骤包含沉积二氧化矽 层的步骤。10.如申请专利范围第8项所述之方法, 其中,该沉积步骤包含沉积四乙基矽化合物(TEOS)层 的步骤。11.一种形成氧化层的方法,于植入活动区 前在半导体装置闸极及活动区上,阻止在植入步骤 时之植入损害,该方法包含于该闸极及该活动区上 沉积氧化层的步骤。12.如申请专利范围第11项所 述之方法,其中,该沉积步骤包含于该闸极之上部 及侧部上沉积一保角的氧化层的步骤。13.如申请 专利范围第12项所述之方法,其中,该沉积步骤包含 在750至900℃间的温度下由化学气相沉积的沉积步 骤。14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中,该 沉积步骤包含在800至850℃间的温度下由化学气相 沉积的沉积步骤。15.如申请专利范围第12项所述 之方法,其中,该沉积步骤包含在800至850℃间的温 度下由低压化学气相沉积的沉积步骤。16.如申请 专利范围第12项所述之方法,其中,该沉积步骤包含 沉积大约100至300厚度之一保角氧化层的步骤。 17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中,该沉积 步骤包含沉积二氧化矽层的步骤。18.如申请专利 范围第16项所述之方法,其中,该沉积步骤包含沉积 四乙基矽化合物(TEOS)层的步骤。19.一种防止半导 体装置闸极区域热氧化作用的方法,包含下列步骤 : (a)该装置放置于一化学氧相沉积设备中;以及 (b)在750至900℃间的温度下以化学氧相沉积沉积一 保角的氧化层于上述闸极区域之上。20.如申请专 利范围第19项所述之方法,其中,该沉积步骤包含在 800至850℃间的温度下之沉积步骤。图式简单说明: 第一图A至第一图C所示系为植入半导体装置的活 动区之习知制程;以及 第二图A至第二图C所示系为根据本发明之植入半 导体装置的活动区之制程。 |
