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<p>Ein Halbleiterschichtsystem (40) mit einem aktiven Bereich bestehend aus mindestens zwei Schichten aus verschiedenen Halbleitern, die an einer Grenzfläche einen Band-Offset aufweisen, wobei Dotierstoffe überwiegend auf einer Dotierungsseite (46) der Grenzfläche (48) vorhanden oder einzuführen sind und auf der anderen Seite der Grenzfläche ein Potentialtopf (50) mit quantisiereten Energieniveaus für Ladungsträger vorgesehen ist bzw. sich ausbildet, zeichnet sich dadurch aus, daß auf der Dotierungsseite (46) entweder mindestens ein Heteroübergang in einem Bereich zwischen den Dotierungsstoffen und der Grenzfläche (48) vorhanden ist oder mehrere Heteroübergänge auf der Dotierungsseite vorhanden sind. Auch ein entsprechendes Herstellungsverfahren ist offenbart und beansprucht.</p> |
