| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 传统的大容量DRAM(动态随机存取存储器)由于存储单元的读信号电压低,其工作可能会不稳定。如果通过给存储单元增加一定的增益来提高信号电压,则存储单元面积将增大。因此,我们希望有一种存储单元工作稳定,面积小,工作性能同RAM一样的存储器。例如,本发明的存储单元具有三维结构,包括用于维持信号电压的MOS晶体管,用于提供信号电压的写晶体管(如隧道晶体管),和用于控制栅极电压的电容,从而实现廉价高速可靠工作的半导体器件。该半导体器件可以具有非易失RAM的功能。 | ||
| 申请公布号 | CN1324486A | 申请公布日期 | 2001.11.28 |
| 申请号 | CN99812731.0 | 申请日期 | 1999.09.29 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所;日立欧洲有限公司 | 发明人 | 伊藤清男;中里和郎 |
| 分类号 | G11C11/40;G11C16/04;H01L27/108 | 主分类号 | G11C11/40 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1、具有存储单元的半导体装置，该存储单元包含在其栅极保持信息电压的MOS晶体管、提供信息电压的写晶体管和控制栅极电压的电容器。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||