| 发明名称 | 制造半导体器件中的场氧化层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造半导体器件中的场氧化层的方法，包括如下步骤：提供一个硅衬底；在所述硅衬底上形成一层氧化层；以及通过在含氮气体气氛中对所述硅衬底进行热处理，将氮注入所述氧化层，以防止氧沿着所述硅衬底和所述氧化层之间的界面扩散。$＃! | ||
| 申请公布号 | CN1075666C | 申请公布日期 | 2001.11.28 |
| 申请号 | CN96110232.2 | 申请日期 | 1996.06.27 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 金荣福;周文植 |
| 分类号 | H01L21/316;H01L21/324;H01L21/762 | 主分类号 | H01L21/316 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 杨梧 |
| 主权项 | 1、一种制造半导体器件中的场氧化层的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：提供一个硅衬底；在所述硅衬底上形成一层氧化层；通过在含氮气体气氛中对所述硅衬底进行热处理，将氮注入所述氧化层，以防止氧沿着所述硅衬底和所述氧化层之间的界面扩散；暴露所述硅衬底的一场区域；以及对所述暴露的硅衬底的场区域进行热氧化处理，以形成场氧化层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||