发明名称 成膜方法、半导体器件及制造方法、记录媒体的制造方法
摘要 在向被处理衬底上涡旋状供给药液进行成膜的技术中,抑制向被处理衬底外排出药液,同时形成均匀薄膜。所述被处理衬底与所述滴下部之间的相对移动是边旋转该衬底,边从该衬底的大约中心向该衬底的外周相对地移动所述滴下部,随着从所述被处理衬底的大约中心向外周的所述滴下部的相对移动,降低该衬底的转速,同时增加该滴下部来的所述液体的供给速度v,使该液膜不因滴下的液膜受到离心力而引起该液膜移动,并在被处理衬底上形成液膜。
申请公布号 CN1324106A 申请公布日期 2001.11.28
申请号 CN01121300.0 申请日期 2001.04.17
申请人 株式会社东芝 发明人 伊藤信一;奥村胜弥
分类号 H01L21/027;G03F7/00 主分类号 H01L21/027
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王以平
主权项 1.一种液膜形成方法,滴下液体的滴下部和位于该滴下部的垂直下方的被处理衬底,边将从该滴下部滴下到该衬底上的液体保留于该被处理衬底上,边相对地移动该被处理衬底或该滴下部并在被处理衬底上形成液膜,其特征是:所述被处理衬底与所述滴下部之间的相对地移动是一面旋转该衬底,一面从该衬底的内周部向该衬底的外周部相对地移动所述滴下部;所述被处理衬底与所述滴下部之间的相对地移动是一面旋转该衬底,一面从该衬底的内周部向该衬底的外周部相对地移动所述滴下部,将所述液体螺旋状滴下到所述被处理衬底上;随着从所述被处理衬底的内周部向外周部的所述滴下部的相对地移动,要降低该衬底的转速W,同时增加从该滴下部来的所述液体的供给速度v,使之不因滴下的液膜所受的离心力而引起滴下的该液膜移动,并在所述被处理衬底上形成液膜,或者,所述被处理衬底与所述滴下部之间的相对地移动是一面旋转该衬底,一面从该衬底的外周部向该衬底的内周部相对地移动所述滴下部;所述被处理衬底与所述滴下部之间的相对地移动是一面旋转该衬底,一面从该衬底的外周部向该衬底的内周部相对地移动上述滴下部,将所述液体螺旋状滴下到所述被处理衬底上;随着从所述被处理衬底的外周部向内周部的所述滴下部的相对地移动,要增加该衬底的转速W,同时降低从该滴下部来的所述液体的供给速度v,使之不因滴下的液膜所受的离心力而引起滴下的该液膜移动,并在所述被处理衬底上形成液膜。
地址 日本神奈川县