| 摘要 |
<p>본 발명은 알루미늄산화막 재질의 게이트 절연막을 갖는 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 반도체 소자의 제조방법은, 내부에 소자분리막 및 소오스/드레인 영역이 형성되고, 상부에 게이트 절연막 및 게이트 전극이 형성될 영역을 한정하는 트렌치를 갖는 층간절연막이 형성된 반도체 기판을 제공하는 단계; 상기 트렌치를 포함한 상기 층간절연막 상에 알루미늄산화막을 증착하는 단계; 상기 알루미늄산화막에 지르콘을 플라즈마 도핑하는 단계; 상기 지르콘이 도핑된 알루미늄산화막 상에 게이트용 도전막을 증착하는 단계; 및 상기 층간절연막이 노출될 때까지, 상기 게이트용 도전막 및 상기 지르콘이 도핑된 알루미늄산화막을 식각하여, 상기 트렌치 내부에 게이트 절연막 및 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.</p> |
