| 主权项 |
1.一种熔丝窗的制造方法,包括下列步骤:(a)提供一半导体基底,该基底依序形成有复晶矽熔丝、复晶矽间氧化薄层、复晶矽蚀刻停止层、复数个介电层;(b)在该等复数个介电层表面形成一光阻图案,而该光阻图案在该复晶矽熔丝的相对位置上方具有一开口;(c)以该光阻图案为蚀刻罩幕,并且经由该开口蚀刻该等复数个介电层,直到露出该复晶矽蚀刻停止层为止;以及(d)同时去除露出的该复晶矽停止层以及该光阻图案,以形成一熔丝窗。2.如申请专利范围第1项所述之熔丝窗的制造方法,其中步骤(d)系利用湿蚀刻法完成。3.如申请专利范围第2项所述之熔丝窗的制造方法,其中该湿蚀刻系采用复晶矽与该光阻图案之蚀刻选择比介于0.5~2的蚀刻剂完成。4.如申请专利范围第2项所述之熔丝窗的制造方法,其中该湿蚀刻系采用商品名为ACT系列的蚀刻剂。5.如申请专利范围第2项所述之熔丝窗的制造方法,其中该等复数个介电层包括二氧化矽层、以及氮化矽层。6.如申请专利范围第1项所述之熔丝窗的制造方法,其中步骤(d)系在90~120℃的温度下进行。7.如申请专利范围第6项所述之熔丝窗的制造方法,其中步骤(d)系在大约115℃的温度下进行。8.如申请专利范围第2项所述之熔丝窗的制造方法,其中该湿蚀刻系采用该复晶矽层与该等介电层之蚀刻选择比的大于100的蚀刻剂完成。图式简单说明:第一图A~第一图D系根据习知技术之熔丝窗的制程剖面示意图。第二图A~第二图C系根据本发明实施例之熔丝窗的制程剖面示意图。 |
