发明名称 涂布膜形成方法及涂布处理装置
摘要 本发明之目的在提供一种涂布膜形成方法及涂布处理装置,系将具有开口之环状盖体安装于旋转杯体,之后,由抗蚀液吐出喷嘴,经由该环状盖体之开口将抗蚀液吐出至基板上,几乎同时地,旋转基板,以于基板形成涂布膜,其次,将小盖安装于盖体之开口,同时,旋转基板以调整抗蚀膜之膜厚。藉此,可使涂布膜之膜厚形成均等,即使采用动态涂布方式之情形,亦可由涂布开始至结束时,确实地防止涂布液之飞散。
申请公布号 TW464948 申请公布日期 2001.11.21
申请号 TW089119658 申请日期 2000.09.22
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 桥本博士;川口义广;下村雄二;佐田彻也
分类号 H01L21/027;G03F7/00 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种涂布膜形成方法,系将涂布液供给至收容于 处理容器内之基板表面上,以形成涂布膜者,其包 含有: 一安装制程,系用以将具有开口之环状盖体安装于 前述处理容器者; 一涂布膜形成制程,系由涂布液吐出喷嘴,经由该 环状盖体之开口,将涂布液吐出至基板上,同时,旋 转基板,而于基板上形成涂布膜者;及 一膜厚调整制程,系以一小盖安装于前述环状盖体 之开口,同时,旋转基板,以调整涂布膜之膜厚者2. 如申请专利范围第1项之涂布膜形成方法,其系使 处理容器与基板同时旋转。3.如申请专利范围第2 项之涂布膜形成方法,其中在膜厚调整制程时,前 述盖体及前述小盖系与前述处理容器一起旋转。4 .如申请专利范围第2项或第3项之涂布膜形成方法, 其中于基板上涂布涂布液后,系暂时停止旋转基板 ,并使涂布液吐出喷嘴退避,俟将小盖安装于前述 环状盖体之开口后,将基板及处理容器之旋转速度 设定于一预定速度,以调整涂布膜之膜厚。5.如申 请专利范围第1项之涂布膜形成方法,该涂布膜形 成方法更包含有一溶剂吐出制程,系在涂布液滴下 前,由溶剂吐出喷嘴经由前述环状盖体之开口,将 溶剂吐出至基板上者。6.如请专利范围第5项之涂 布膜形成方法,其中于吐出溶剂后,在由前述涂布 液吐出喷嘴吐出涂布液之约略同时,并开始旋转基 板。7.一种涂布处理装置,系用以于基板表面上涂 布涂布液者,其包含有: 一处理容器,于上部具有开口部,系用以收容基板 者; 一基板旋转构件,系用以于前述处理容器内旋转基 板者; 一环状盖体;系用以安装于前述处理容器,其上并 具有开口者; 一涂布液吐出喷嘴,系可经由该环状盖体之开口, 而将涂布液滴下至基板者; 一小盖,系用以闭塞前述环状盖体之开口者; 一小盖搬送构件,系用以搬送前述小盖,而将其安 装于前述环状盖体之开口者;及 一移动构件,系用以将前述涂布液吐出喷嘴在吐出 位置与退避位置间移动者。8.一种涂布处理装置, 系用以于基板表面上涂布涂布液者,其包含有: 一处理容器,于上部具有开口部,系用以收容基板 者; 一基板旋转构件,系用以于前述处理容器内旋转基 板者; 一环状盖体,系安装于前述处理容器,其上并具有 开口者; 一涂布液吐出喷嘴,系可经由该环状盖体之开口, 而将涂布液滴下至基板者;及 一移动构件,系用以将前述涂布液吐出喷嘴在吐出 位置与退避位置间移动者; 又,前述处理容器于其外周侧部分并具有一流出孔 ,以使空气由前述处理容器内流出至外部者;同时, 前述盖体并于其外周侧部分具有一流入孔,系供空 气由外部流入前述处理容器内者。9.如申请专利 范围第8项之涂布处理装置,其中前述盖体于其中 央具有开口,涂布液吐出喷嘴并系经由该盖体之开 口而将涂布液吐出至基板上,且,该涂布处理装置 更包含有: 一小盖,系用以闭塞前述环状盖体之开口者;及 一小盖搬送构件,系用以搬送前述小盖,而将其安 装于前述环状盖体之开口者。10.如申请专利范围 第7项之涂布处理装置,其中于前述小盖与前述基 板相对之面上并放射状地设置有多数之板。11.如 申请专利范围第7项之涂布处理装置,其中前述小 盖并包含有一具有凹部之卡止部,而前述小盖搬送 构件则具有一卡止爪,供插入前述凹部内,以卡止 前述卡止部。12.如申请专利范围第7项之涂布处理 装置,其中前述小盖并包含有一具有中空部之卡止 部,而前述小盖搬送构件则具有一卡止爪,供插入 前述中空部中,以卡止前述卡止部。13.如申请专利 范围第12项之涂布处理装置,其中前述小盖搬送构 伴并具有一排气构件,用以将前述中空部内排气。 14.如申请专利范围第7项之涂布处理装置,其中前 述基板旋转构件系使处理容器与基板同时旋转者 。15.如申请专利范围第7项之涂布处理装置,其中 前述基板旋转构件系于涂布液吐出后,调整膜厚之 际,使前述处理容器、前述盖体及前述小盖与基板 同时旋转者。16.如申请专利范围第15项之涂布处 理装置,其中前述基板旋转构件系于基板上涂布涂 布液后,暂时停止旋转基板,使涂布液吐出喷嘴退 避,同时藉前述小盖搬送构件将小盖安装于前述环 状盖体之开口后,将基板及前述处理容器之旋转速 度设定于一预定速度,以调整涂布膜之膜厚者。17. 如申请专利范围第7项之涂布处理装置,其中该涂 布处理装置更包含有一可经由前述环状盖体之开 口而将溶剂吐出至基板上之溶剂吐出喷嘴,而于供 给涂布液前,将溶剂吐出至基板上。18.如申请专利 范围第7项之涂布处理装置,其中前述基板旋转构 件系由前述涂布液吐出喷嘴吐出涂布液,几乎同时 地,开始旋转基板。19.如申请专利范围第7项之涂 布处理装置,其中前述环状盖体并具有一直立设置 于其开口周缘之筒状元件。图式简单说明: 第一图系显示成为本发明对象之涂布膜形成方法 及涂布处理装置所适用之抗蚀液涂布显像系统的 平面图。 第二图系例示地显示装载于上述抗蚀液涂布显像 系统之有关本发明实施形态之抗蚀液涂布处理单 元的截面图,其系呈安装小盖前之状态。 第三图系例示地显示装载于上述抗蚀液涂布显像 系统之本发明一实施形态抗蚀液涂布处理单元的 截面图,其系呈搬送小盖之状态。 第四图系例示地显示装载于上述抗蚀液涂布显像 系统之本发明一实施形态抗蚀液涂布处理单元的 截面图,其系呈小盖安装后状态。 第五图系显示LCD基板涂布处理之处理时间与旋转 速度之关系的图表。 第六图系例示地显示习知抗蚀液涂布处理单元之 截面图。 第七图系显示在上述抗蚀液涂布处理单元中,藉卡 止爪支撑小盖之状态的截面图。 第八图(a)-第八图(b)系显示其他实施形态之卡止爪 及小盖之形状的截面图。 第九图系进一步显示其他实施形态之抗蚀液涂布 处理单元的截面图。 第十图系第九图所显示之抗蚀液涂布处理单元之 小盖的平面图。
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