用于涂敷和显影的方法和系统

摘要

在对基片进行涂敷和显影处理的过程中,本发明包含步骤:给基片供应保护溶液而在基片上形成涂层;在基片经过不包含在该系统内的光刻器曝光处理之后在处理区对基片进行显影处理;在形成涂层的步骤之后和在曝光处理之前将基片送入所述腔室,此后减小该气密密封的腔室内的压力到预定的压力并持续预定时间,以便从腔室内的基片上去除附着在基片上的杂质,其中预定压力和预定时间根据测量到的处理区内的杂质密度进行调整。根据本发明,可以在曝光处理之前去除附着在基片的涂层上的分子级杂质比如水分、水蒸气、氧气、臭氧有机物等,和比如细小颗粒的杂质,所以曝光处理可以在更好的条件下进行而不被这些杂质所影响。因为用于减小压力的预定压力和预定时间,或者用于减小压力的速度根据在预定位置测量的杂质密度进行调节,所以附着在基片上的杂质比如水分、氧气等可以在根据附着杂质量的更合适的最小需求条件下去除。

主权项

1．一种用于在涂敷和显影处理系统的处理区对基片进行涂敷和显影处理的涂敷和显影处理方法，包含步骤：给基片供应涂敷溶液而在基片上形成涂层；在基片经过不包含在该系统内的光刻器曝光处理之后在处理区对基片进行显影处理；在形成涂层的步骤之后和在曝光处理之前将基片送入腔室，此后减小该气密密封的腔室内的压力到预定的压力并持续预定时间，以从腔室内的基片上去除附着在基片上的杂质；其中预定的压力和预定的时间根据测量到的处理区内的杂质密度进行调整。