发明名称 CMOS and bipolar fabrication process using selective epitaxial growth scalable to below 0.5 micron
摘要
申请公布号 US5010034(A) 申请公布日期 1991.04.23
申请号 US19890320011 申请日期 1989.03.07
申请人 NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 发明人 MANOLIU, JULIANA
分类号 H01L29/73;H01L21/20;H01L21/331;H01L21/74;H01L21/762;H01L21/8249;H01L27/06;H01L29/06;H01L29/08 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
主权项
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