| 发明名称 |
High voltage generating circuit for volatile semiconductor memories |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB0123749(D0) |
申请公布日期 |
2001.11.21 |
| 申请号 |
GB20010023749 |
申请日期 |
2001.10.03 |
| 申请人 |
MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED |
发明人 |
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| 分类号 |
G11C11/407;G11C5/14;H01L21/822;H01L27/04;H02M3/07;H03K17/081;H03K19/003 |
主分类号 |
G11C11/407 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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