| 发明名称 | 制作金属线的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及在半导体器件中制做金属线的方法，包括以下步骤：在一下导电层上形成一层间绝缘膜；蚀刻该层间绝缘膜的预定部分以形成一接触孔；在所得结构上淀积一Ti层；利用化学气相淀积工艺在Ti层上淀积一厚度为１００埃到１０００埃的TiＮ薄层；在Ｎ＃-[２]、Ｈ＃-[２]或二者的混合气氛中等离子处理TiＮ层；重复淀积TiＮ薄层及处理TiＮ层的步骤直到填满所述接触孔；蚀刻TiＮ层以形成一仅填满接触孔的TiＮ接触栓塞；及在所得结构上淀积一金属层。 | ||
| 申请公布号 | CN1075244C | 申请公布日期 | 2001.11.21 |
| 申请号 | CN96120181.9 | 申请日期 | 1996.11.01 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 金鼎泰;朴兴洛 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/768;H01L23/532 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余朦 |
| 主权项 | 1．在半导体器件中制作金属线的方法，包括以下步骤：在一下导电层上形成一层间绝缘膜；蚀刻该层间绝缘膜的预定部分以形成-接触孔；在所得结构上淀积一Ti层；利用化学气相淀积工艺在Ti层上淀积一厚度为100埃到1000埃的TiN薄层；在N2、H2或二者的混合气氛中等离子处理TiN层；重复淀积TiN薄层及处理TiN层的步骤直到填满所述接触孔；蚀刻TiN层以形成一仅填满接触孔的TiN接触栓塞；及在所得结构上淀积一金属层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||