| 摘要 |
유전체층에 의해 지지되는 금속층을 에칭한 후에 유전체 물질의 표면상에 남아있는 부식 형성 에칭 잔류물을 제거 또는 불활성화시키는 방법이 제공된다. 부식-형성 에칭 잔류물을 지지하는 유전체 물질의 표면은 부식-형성 에칭 잔류물을 제거하도록 후-에칭 처리된다. 유전체 물질 표면의 후-에칭 처리는 마이크로웨이브 다운스트림 처리 가스 플라즈마를 갖는 진공 챔버에서 유전체 물질을 배치시키거나, 또는 탈이온수를 사용하여 유전체 물질의 표면을 접촉시키는 것을 포함한다. |
