| 摘要 |
<p>본 발명은 MOSFET 트랜지스터의 제조에 있어서, 게이트 전극을 소자 분리 절연막에 자기 정렬시켜 형성함으로써 MOSFET 트랜지스터의 크기를 줄일 수 있도록 한 반도체 소자 제조 기법에 관한 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 제조 과정의 마스크 작업시에 발생되는 마스크 작업의 오정렬과 임계 크기의 변화를 고려하여 게이트 전극이 소자 분리 절연막의 상부에 일정 부분 중첩되도록 하여 MOSFET 트랜지스터를 제조하는 전술한 종래 방법과는 달리, 게이트 전극을 소자 분리 절연막에 자기 정렬시켜 형성하여 게이트 전극과 소자 분리 절연막의 상부 일부가 중첩되는 부분을 완전히 제거하기 때문에 MOSFET 트랜지스터의 효과적인 고집적화를 실현할 수 있는 것이다.</p> |
