Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors mit Seitenwandoxidation

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors mit Seitenwandoxidation, bei dem insbesondere durch Implantieren von Isolationsschicht-Wachstumshemmern (x) und einem nachfolgenden thermischen Ausbilden einer Thermo-Isolationsschicht (5) an der Oberfläche eines Halbleitersubstrats (1) und an den Seitenwänden eines Gate-Stapels (GS) unterschiedlich dicke Isolationsschichten (d¶h¶, d¶v¶) ausgebildet werden. Insbesondere die Zuverlässigkeit einer Gate-Isolationsschicht (2) und eine Ladungshalteeigenschaft des Feldeffekttransistors lassen sich dadurch wesentlich verbessern.