发明名称 |
Process for the fabrication of a semiconductor non-volatile memory device with Shallow Trench Isolation (STI) |
摘要 |
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申请公布号 |
EP0971415(B1) |
申请公布日期 |
2001.11.14 |
申请号 |
EP19980830388 |
申请日期 |
1998.06.30 |
申请人 |
STMICROELECTRONICS S.R.L. |
发明人 |
COLPANI, PAOLO |
分类号 |
H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L27/115;H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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