集成互补型金属氧化物半导体电路

摘要

一种集成CMOS集成半导体电路,包括由包括P和N沟道晶体管的CMOS晶体管构成的内部电路,所说P和N沟道晶体管具有形成于衬底上的栅极和源/漏区,所说内部电路在包括激活态和备用态的至少两种状态下起作用,在激活态时,输入和输出数据,在备用态时,保持内部电路的状态;由任意电子元件构成且具有电源的外部电路;开关部分,在内部电路的备用态时,该部分能够利用外部电路的电源,在内部电路的P和N沟道晶体管中的任一个的源区和衬底之间加反偏。

主权项

1.一种集成CMOS半导体电路，包括：由包括P和N沟道晶体管的CMOS晶体管构成的内部电路，所说P和N沟道晶体管具有形成于半导体衬底上的栅极和源/漏区，所说内部电路在包括激活态和备用态的至少两种状态下起作用，在激活态时，输入和输出数据，在备用态时，保持内部电路的状态；由任意电子元件构成且具有电源的外部电路；开关部分，在内部电路的备用态时，能够利用外部电路的电源，在内部电路的P和N沟道晶体管中的任一个的源区和衬底之间加反偏。