| 主权项 |
1.一种半导体装置,其包括于其上具有晶片电极之半导体晶片、具有连接于该晶片电极与支撑该半导体晶片之顶层表面的金属互连图案、以电镀技术至少形成该金属互连图案之顶层部份、覆盖该金属互连图案之底层表面并于其中具有穿孔之绝缘膜、于该互连图案之该底层表面上于该穿孔内形成复数个外部接头、以及于该金属互连图案之该顶层表面及该绝缘膜上密封该半导体晶片之膜具树脂。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中安装其他半导体晶片于该金属互连图案之该顶层表面并以该模具树脂密封。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其进一步包括安装于该金属互连图案之该底层表面的其他半导体晶片、以及于该金属互连图案之底层表面上密封该其他半导体晶片的其他模具树脂。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中至少该外部接头之一部份位于恰低于该半导体晶片。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中至少该外部接头之一部份位于该半导体晶片之外侧。6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该外部接头位于恰低于该半导体晶片,而且该外部接头之其余部份则位于该半导体晶片之外侧。7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该金属互连图案具有下面层及顶层之电镀层。8.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中以接合线连接该晶片电极与该金属互连图案。9.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中直接连接该晶片电极与该金属互连图案。10.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该金属互连图案并不配置于该模具树脂之周围的附近中。11.一种用于形成模具密封之半导体装置的方法,其包括的步骤有形成具有金属板及形成于该金属板顶层表面上之金属互连图案的图框基板、安装半导体晶片于该互连图案上,以模具树脂密封该半导体晶片于该图框基板上、以及至少除去一部份在底层表面之该金属板以至少曝光一部份之该金属互连图案。12.如申请专利范围第11项之方法,其中以电镀技术至少形成该金属互连图案之一顶层部份。13.如申请专利范围第11项之方法,其中以蚀刻该金属板来形成该金属互连图案。14.如申请专利范围第11项之方法,其中黏着该金属互连图案至该金属板之该顶层表面上。15.如申请专利范围第11项之方法,其中该除去步骤留下一部份该金属板作为纹间表面图案。16.如申请专利范围第11项之方法,其中为了注入该模具树脂,该密封步骤利用形成于该金属板中之注射孔。17.如申请专利范围第11项之方法,其进一步包括黏着绝缘膜于该金属互连图案之已曝光的表面上。18.如申请专利范围第11项之方法,其中除去步骤至少包含化学蚀刻、化学机械研磨、机械研磨及机械剥离中的一种。19.如申请专利范围第11项之方法,其中该除去步骤包含与利用热膨胀系数差异或热熔点差异结合之机械剥离。20.如申请专利范围第11项之方法,其进一步包括的步骤需以研磨除去该模具树脂及该半导体晶片之顶层部份。图式简单说明:第一图为具有插入基板之传统BGA半导体装置之剖面图。第二图为依据本发明实例的半导体装置之剖面图。第三图A至第三图D为展示于第二图之图框基板的剖面图,其展示关于制造方法之连续步骤。第四图A至第四图D为展示于第二图之图框基板之剖面图,其展示关于制造之其他方法的连续步骤。第五图A至第五图G为第一图之半导体装置之剖面图,其展示于依据本发明之第一实例之制造方法的连续步骤。第六图A至第六图G为半导体装置之剖面图,其展示关于依据本发明之第二实例之制造方法的连续步骤。第七图A至第七图F为半导体装置之剖面图,其展示关于依据本发明之第三实例之制造方法的连续步骤。第八图A至第八图F为半导体装置之剖面图,其展示关于依据本发明之第四实例之制造方法的连续步骤。第九图A至第九图F为半导体装置之剖面图,其展示关于依据本发明之第五实例之制造方法的连续步骤。第十图A至第十图F为半导体装置之剖面图,其展示关于依据本发明之第六实例之制造方法的连续步骤。第十一图A至第十一图D为半导体装置之剖面图,其展示关于依据本发明之第七实例之制造方法的连续步骤。第十二图A至第十二图D为半导体装置之剖面图,其展示关于依据本发明之第八实例之制造方法的连续步骤。第十三图为关于依据本发明之其他实例之半导体装置之剖面图。第十四图为关于依据本发明之其他实例之半导体装置之剖面图。第十五图为关于依据本发明之其他实例之半导体装置之剖面图。 |
