| 主权项 |
1.一种含有多层膜之氮化钛的乾蚀刻方法,该多层膜系形成于一二氧化矽层上,且使用一阻膜作为一遮罩,其特征为:于灰化该阻膜以将该阻膜移除之前,蚀刻该多层膜,并使用一含有至少50%的SF6之气体进行过度蚀刻,藉以提升该阻膜被灰化的可移除性。2.如申请专利范围第1项之含有多层膜之氮化钛的乾蚀刻方法,其中该含有多层膜之氮化钛系由依序叠置于该二氧化矽层上之一第一氮化钛膜、一AlCu膜、以及一第二氮化钛膜所构成。3.如申请专利范围第2项之含有多层膜之氮化钛的乾蚀刻方法,其中由该第一氮化钛膜、该AlCu膜、以及该第二氮化钛膜所构成的该含有多层膜之氮化钛系受含有氯作为一主要元素的蚀刻气体所蚀刻,并且该过度蚀刻系使用一含有至少50%的SF6之SF6/CHF3气体加以进行。4.如申请专利范围第3项之含有多层膜之氮化钛的乾蚀刻方法,其中该蚀刻气体系Cl2/BCl3/CHF3或Cl2/BCl3/CH2F2。5.如申请专利范围第1项之含有多层膜之氮化钛的乾蚀刻方法,其中该含有多层膜之氮化钛系由依序叠置于该二氧化矽层上之一氮化钛膜以及一W或WN膜所构成。6.如申请专利范围第5项之含有多层膜之氮化钛的乾蚀刻方法,其中由该氮化钛膜以及该W或WN膜所构成的该含有多层膜之氮化钛系由使用SF6/CHF3/N2之第一蚀刻步骤蚀刻该W或WN膜,随后由使用一含有氯作为一主要元素的蚀刻气体之第二蚀刻步骤蚀刻该氮化钛膜,并且该过度蚀刻系使用一含有至少50%的SF6之SF6/CHF3气体加以进行。7.如申请专利范围第6项之含有多层膜之氮化钛的乾蚀刻方法,其中该蚀刻气体系Cl2/BCl3/CHF3或Cl2/BCl3/CH2F2。图式简单说明:第一图A至第一图C系一半导体装置之部分剖面图,显示蚀刻包含一TiN膜的多层膜之先前技艺方法的第一例子;第二图A至第二图D系一半导体装置之部分剖面图,显示蚀刻包含一TiN膜的多层膜之先前技艺方法的第二例子;第三图A至第三图D系一半导体装置之部分剖面图,显示依据本发明第一实施例之蚀刻包含一TiN膜的多层膜之方法;以及第四图A至第四图E系一半导体装置之部分剖面图,显示依据本发明第二实施例之蚀刻包含一TiN膜的多层膜之方法。 |
