| 主权项 |
1.一种可防止图案圆弧化之微影制程,其包括:提供一晶圆;于该晶圆上形成一第一光阻;图案化该第一光阻,以形成沿一第一方向相互平行之一第一线状光阻;于该晶圆上方形成一第二光阻;以及圆案化该第二光阻,以形成沿一第二方向相互平行之一第二线状光阻,其中该第一方向与该第二方向位于同一平面且相互垂直。2.如申请专利范围第1项所述之可防止图案圆弧化之微影制程,其中该第一光阻可以是一正光阻。3.如申请专利范围第1项所述之可防止图案圆弧化之微影制程,其中该第一光阻可以是一负光阻。4.如申请专利范围第1项所述之可防止图案圆弧化之微影制程,其中该第一光阻可以是一深紫外光光阻。5.如申请专利范围第1项所述之可防止图案圆弧化之微影制程,其中该第二光阻可以是一正光阻。6.如申请专利范围第1项所述之可防止图案圆弧化之微影制程,其中该第二光阻可以是一负光阻。7.如申请专利范围第1项所述之可防止图案圆弧化之微影制程,其中该第二光阻可以是一深紫外光光阻。8.一种可防止图案圆弧化之微影制程,其包括:提供一晶圆;于该晶圆上形成一第一光阻;进行一第一软烤制程;进行一第一曝光制程;进行一第一曝光后烘烤制程;进行一第一显影制程,以图案化该第一光阻形成沿一第一方向相互平行之一第一线状光阻;于该晶圆上方形成一第二光阻;进行一第二软烤制程;进行一第二曝光制程;进行一第二曝光后烤制程;以及进行一第二显影制程,以图案化该第二光阻形成沿一第二方向相互平行之一第二线状光阻,其中该第一方向与该第二方向位于同一平面。9.如申请专利范围第8项所述之可防止图案圆弧化之微影制程,其中该第一方向与该第二方向相互垂直。10.如申请专利范围第8项所述之可防止图案圆弧化之微影制程,其中该第一光阻可以是一正光阻。11.如申请专利范围第8项所述之可防止图案圆弧化之微影制程,其中该第一光阻可以是一负光阻。12.如申请专利范围第8项所述之可防止图案圆弧化之微影制程,其中该第一光阻是可以是一深紫外光光阻。13.如申请专利范围第8项所述之可防止图案圆弧化之微影制程,其中该第二光阻可以是一正光阻。14.如申请专利范围第8项所述之可防止图案圆弧化之微影制程,其中该第二光阻可以是一负光阻。15.如申请专利范围第8项所述之可防止图案圆弧化之微影制程,其中该第二光阻可以是一深紫外光光阻。16.一种可防止图案圆弧化之微影制程,其包括:提供一晶圆;以及依序于该晶圆上形成一第一线状光阻与一第二线状光阻,其中该第一线状光阻之一第一线状图案沿一第一方向相互并平行,该第二线状光阻之一第二线状图案沿一第二方向相互并平行。17.如申请专利范围第16项所述之可防止图案圆弧化之微影制程,其中该第一方向与该第二方向位于同一平面且相互垂直。18.如申请专利范围第16项所述之可防止图案圆弧化之微影制程,其中形成该第一线状光阻与该第二线状光阻之方法包括:于该晶圆上形成一第一光阻;进行一第一软烤制程;进行一第一曝光制程;进行一第一曝光后烘烤制程;进行一第一显影制程,以图案化该第一光阻形成该第一线状光阻;于该晶圆上方形成一第二光阻;进行一第二软烤制程;进行一第二曝光制程;进行一第二曝光后烘烤制程;以及进行一第二显影制程,以图案化该第二光阻形成该第二线状光阻。19.如申请专利范围第18项所述之可防止图案圆弧化之微影制程,其中该第一光阻可以是一深紫外光光阻。20.如申请专利范围第18项所述之可防止图案圆弧化之微影制程,其中该第二光阻可以是一深紫外光光阻。图式简单说明:第一图A所绘示为习知一种用于制造沟渠电容之沟渠阵列光罩100之上视简图;第一图B系绘示以光罩100对于晶圆104上之光进行微影制程之后,所形成之图形上视图;第二图A至第二图B所示,为根据本发明一较佳实施例之多重光阻图案堆叠(multiple resist pattern stacks)以防止图案圆弧化之微影制程流程剖面简图;第三图A系为第二图A之上视图,且第二图A为第三图A沿线2A-2A'之剖面图;以及第三图B系为第二图B之上视图,且第二图B为第三图B沿线2B-2B'之剖面图。 |
