| 主权项 |
1.一种用于沈积铜于沟渠中之制程,包含下列步骤:首先以化学气相沈积法(CVD)将沟渠壁面以包含厚度约25至200埃之氮化钛层的一衬垫物涂布;并接着沈积铜以填充该沟渠。2.如申请专利范围第1项之制程,其中该衬垫物包含至少一个富钽层。3.如申请专利范围第1项之制程,其中该富钽层系由包含钽与氮化钽的族群中选择。4.如申请专利范围第3项之制程,其中该当钽层具有约50至400埃之间的厚度。5.一种用于沈积铜在一沟渠中以填充该沟渠的制程,包含下列步骤:首先以CVD沈积厚度约200-l000埃的一个铜种子层于沟渠壁上;并接着以电镀铜填充该沟渠。6.如申请专利范围第5项之制程,其中该种子层具有约400至500埃之间的厚度。7.如申请专利范围第5项之制程,其中在沈积该种子层之前,先以物理气相沈积法沈积厚度小于约1000埃之铜层的一成核膜。8.如申请专利范围第7项之制程,其中该成核层在约400-500埃间的厚度。9.如申请专利范围第1项之制程,其中该铜沈积以填充沟渠,其系首先以CVD沈积厚度小于1000埃的一个铜种子层,并以铜电镀完成该填充。10.如申请专利范围第2项之制程,其中该铜沈积以填充沟渠,其系首先以CVD沈积厚度小于1000埃的一个铜种子层,并以铜电镀完成该填充。11.如申请专利范围第3项之制程,其中该铜沈积以填充沟渠,其系首先以CVD沈积厚度小于1000埃的一个铜种子层,并以铜电镀完成该填充。12.如申请专利范围第4项之制程,其中该铜沈积以填充沟渠,其系首先以CVD沈积厚度小于1000埃的一个铜种子层,并以铜电镀完成该填充。13.一种填充在一矽基板上之绝缘层中之沟渠而用于形成一低电阻率连接的制程,包含下列步骤:形成一衬垫物(包含一个氮化钛薄层)于沟渠表面上;藉由快速溅镀一个铜层而形成一个成核膜于该衬垫物上;以CVD形成一个铜的种子层于该成核膜上;以及接着藉由电镀铜而填充该沟渠。14.如申请专利范围第13项之制程,其中该沟渠被过度填充,且过量的铜系以化学机械抛光移除。15.如申请专利范围第13项之制程,其中该衬垫物包含至少一个富钽层。16.如申请专利范围第15项之制程,其中该富钽层系由包含钽与氮化钽的族群中选择。17.如申请专利范围第16项之制程,其中该衬垫物具有小于约500埃的厚度。18.如申请专利范围第17项之制程,其中各该富钽层具有约50至400埃之间的厚度。19.如申请专利范围第13项之制程,其中该成核铜层及种子层各为约400至500埃之间的厚度。20.如申请专利范围第19项之制程,其中该铜系由硫酸铜与硫酸浴电镀。21.如申请专利范围第19项之制程,其中该沟渠过度填充,且过量的铜系以化学机械抛光移除。22.如申请专利范围第19项之制程,其中该衬垫物包含至少一个富钽层,该富钽层系由包含钽与氮化钽的族群中选择。23.如申请专利范围第22项之制程,其中该衬垫物具有小于约500埃的厚度。 |
