| 主权项 |
1.一种屑状铌粉末,其中该粉末具有约1.0平方米/克至约5.0平方米/克之BET表面积。2.根据申请专利范围第1项之铌粉末,其中该粉末黏聚。3.根据申请专利范围第1项之铌粉末,其中该粉末具有约2.0至约5.0平方米/克之BET表面积。4.根据申请专利范围第1项之铌粉末,其中该粉末并未氢化。5.根据申请专利范围第1项之铌粉末,其中该粉末具有低于约35克/立方英寸之Scott密度。6.根据申请专利范围第1项之铌粉末,其中该粉末形成电解电容器阳极时,该阳极具有约30,000CV/克至约61,000CV/克之电容。7.一种由根据申请专利范围第1项之铌粉末制成之电容器。8.一种铌粉末,其中在该粉末形成电解电容器阳极时,该阳极具有约30,000CV/克至约61,000CV/克之电容。9.根据申请专利范围第8项之铌粉末,其中该粉末氢化。10.一种铌粉末,其具有约1.0平方米/克至约5.0平方米/克之BET表面积。11.根据申请专利范围第10项之铌粉末,其具有至少约1.0平方米/克之BET表面积。12.根据申请专利范围第10项之铌粉末,其具有约1.0至约5.0平方米/克之BET表面积。13.根据申请专利范围第10项之铌粉末,其具有约2.0至约4.0平方米/克之BET表面积。14.根据申请专利范围第10项之铌粉末,其具有约2.0至约5.0平方米/克之BET表面积。15.根据申请专利范围第10项之铌粉末,其中该铌粉末并未氢化。16.根据申请专利范围第10项之铌粉末,其中该铌粉末黏聚。17.一种电容器,其由包含根据申请专利范围第10项之铌粉末之配方制备。18.根据申请专利范围第17项之电容器,其中该粉末在约1200℃至约1750℃之温度烧结。19.根据申请专利范围第17项之电容器,其中该粉末在约1200℃至约1450℃之温度烧结。20.根据申请专利范围第17项之电容器,其中该粉末在约1250℃至约1350℃之温度烧结。21.一种电容器,其由包含根据申请专利范围第11项之铌粉末之配方制备。22.一种电容器,其由包含根据申请专利范围第12项之铌粉末之配方制备。23.一种电容器,其由包含根据申请专利范围第10项之铌粉末之配方制备。24.一种电容器,其由包含根据申请专利范围第16项之铌粉末之配方制备。25.根据申请专利范围第10项之铌粉末,其具有低于约400ppm之磷程度。26.根据申请专利范围第10项之铌粉末,其具有低于约100ppm之磷程度。27.根据申请专利范围第10项之铌粉末,其具有低于约25ppm之磷程度。28.根据申请专利范围第17项之电容器,其中该电容器以约30至约50伏特之电压形成。29.根据申请专利范围第17项之电容器,其中该电容器具有低于约5.0na/CV之DC漏电。30.根据申请专利范围第17项之电容器,其中该电容器具有约5.0na/CV至约0.50na/CV之DC漏电。31.根据申请专利范围第21项之电容器,其中该电容器以约30至约50伏特之电压形成。32.一种降低由铌粉末制造之铌阳极中DC漏电之方法,其包含以足量之氧掺杂该铌粉末以降低DC漏电之步骤。33.根据申请专利范围第32项之方法,其中该铌粉末掺杂至少约2,000ppm之氧。34.根据申请专利范围第32项之方法,其中该铌粉末以约2,000ppm至约10,000ppm之量掺杂氧。35.根据申请专利范围第32项之方法,其中该铌粉末以约3,000ppm至约7,000ppm之量掺杂氧。36.根据申请专利范围第32项之方法,其中该阳极以约30至约50伏特之电压形成。37.根据申请专利范围第32项之方法,其中该阳极以约40伏特之电压形成。38.根据申请专利范围第32项之方法,其具有低于约400ppm之磷程度。39.根据申请专利范围第32项之方法,其具有低于约100ppm之磷程度。40.根据申请专利范围第32项之方法,其具有低于约25ppm之磷程度。41.根据申请专利范围第32项之方法,其中该阳极在约1200℃至约1750℃之温度烧结。42.根据申请专利范围第32项之方法,其中该阳极在约1200℃至约1450℃之温度烧结。43.根据申请专利范围第32项之方法,其中该阳极在约1250℃至约1350℃之温度烧结。44.一种铌粉末,其具有至少约2,000ppm之氧掺杂含量。45.根据申请专利范围第44项之铌粉末,其具有约2,000ppm至约20,000ppm之氧掺杂含量。46.根据申请专利范围第44项之铌粉末,其具有约2,750ppm至约10,000ppm之氧掺杂含量。47.根据申请专利范围第44项之铌粉末,其具有约4,000ppm至约9,000ppm之氧掺杂含量。48.一种电解电容器,其由根据申请专利范围第44项之铌粉末形成。49.根据申请专利范围第20项之电容器,其进一步在其表面上包含氧化铌膜。50.根据申请专利范围第49项之电容器,其中该膜包含五氧化铌膜。51.根据申请专利范围第10项之铌粉末,其具有不小于约2,000ppm之氧含量。图式简单说明:第一图为显示形成阳极及在1750℃之温度烧结时,铌粉末之BET表面积及其各电容之图表。第二图为显示形成阳极及在1600℃之温度烧结时,铌粉末之BET表面积及其各电容之图表。第三图为显示形成阳极及1450℃之温度烧结时,铌粉末之BET表面积及其各电容之图表。第四图为显示形成阳极及在1300℃之温度烧结时,铌粉末之BET表面积及其各电容之图表。第五图为显示铌阳极之各种烧结温度及其计算之最大电容之图表。第六图为叙述在使用50伏特之形成电压以下不同温度形成阳极及烧结时,铌粉末之氧掺杂含量及其各DC漏电之图表。第七图为显示在使用30伏特之形成电压以不同温度形成阳极及烧结时,具有各种氧掺杂程度之铌粉末及各DC温电之图表。第八图为显示形成阳极时,掺杂于铌粉末之各种磷程度之效果及其各电容之图表。第九图为显示形成阳极时,掺杂于铌粉末之各种磷程度之效果及其各DC漏电之图表。 |
