| 主权项 |
1.一种线内粒子侦测器,包含: 一外壳,具有一内流部份,外壳以可移离之方式置 于管线之相邻部份之间,俾燃料可自燃料源流过内 流部份至燃料消耗者; 一光源,置于外壳内,用以发射一光束于内流部份 内; 一第一光侦测器,置于外壳内,与光源相对及大致 垂直设置,俾由第一光侦测器侦测不受阻碍之所产 生之光束之大致全强度; 一第二光侦测器,置于外壳内,邻近第一光侦测器 设置,俾由第二光侦测器侦测不受阻碍之所产生之 光束之一基线位准;及 电路,连接至第一及第二光侦测器,以监视由第一 及第二光侦测器所量度之光强度之比率,俾指示所 引进之燃料流内粒子之存在。2.如申请专利范围 第1项所述之线内粒子侦测器,其中,燃料流为天然 气。3.如申请专利范围第1项所述之线内粒子侦测 器,其中,燃料流选自丙烷,已烷,庚烷,自煤获得之 气体,及甲烷所组之群中。4.如申请专利范围第1项 所述之线内粒子侦测器,其中,含有粒子之燃料导 致所产生之光束散射,及由第二光侦测器所量得之 光强度增加至基线位准以上,及到达第一光侦测器 之光强度降低。5.如申请专利范围第1项所述之线 内粒子侦测器,其中,一控制结构输入至该电路。6. 如申请专利范围第5项所述之线内粒子侦测器,其 中,控制结构由专用积体电路之记忆器中之程式设 计输入该电路中。7.如申请专利范围第5项所述之 线内粒子侦测器,其中,控制结构由埋置于一或更 多电脑中之演算法之形态输入该电路中。8.如申 请专利范围第7项所述之线内粒子侦测器,其中,电 脑选自工作站,小型电脑,微电脑,及超级电脑所组 之群中。9.如申请专利范围第5项所述之线内粒子 侦测器,其中,控制结构以选自C,C++,培基,MATLAB,及 FORTRAN之语言设计程式。10.如申请专利范围第5项 所述之线内粒子侦测器,其中,控制结构包含方法 步骤: 比较由第一及第二光侦测器所量得之光强度比率 及设定点比率。11.如申请专利范围第10项所述之 线内粒子侦测器,其中,光强度比率超过设定点比 率,及该电路发起系统控制。12.如申请专利范围第 11项所述之线内粒子侦测器,其中,系统控制限制轮 机引擎于低负荷操作。13.如申请专利范围第11项 所述之线内粒子侦测器,其中,系统控制为用以检 查系统不正常之一演算法。14.如申请专利范围第 11项所述之线内粒子侦测器,其中,系统控制致动一 警报。15.一种遥控线内粒子侦测器,包含: 一外壳,具有一内流部份,外壳以可移离之方式置 于管之相邻部份之间,俾燃料可自燃料源流过内流 部份至燃料消耗者; 一光源,置于外壳内,用以发射一光束于内流部份 内; 一第一光侦测器,置于外壳内,与光源相对及大致 垂直设置,俾由第一光侦测器侦测不受阻碍之所产 生之光束之大致全强度; 一第二光侦测器,置于外壳内,与第一光侦测器相 邻设置,俾由第二光侦测器侦测不受阻碍之所产生 之光束之一基线位准;及 电路,连接至第一及第二光侦测器,以监视由第一 及第二光侦测器所量度之光强度之比率,俾指示所 引进之燃料流内粒子之存在;及 至少一遥控单位,用以发送由第一及第二光侦测器 所产生之信号; 一中心站;及 一通讯链。16.如申请专利范围第15项所述之遥控 线内粒子侦测器,其中,该信号代表由第一及第二 光侦测器所量得之光强度。17.如申请专利范围第 15项所述之遥控线内粒子侦测器,其中,遥控系统包 含一中心介面连接至至少一遥控单位,其中,中心 介面适于控制中心站及至少一遥控单位间之通讯 。18.如申请专利范围第15项所述之遥控线内粒子 侦测器,其中,通讯链包含一射频(RF)前端。19.如申 请专利范围第15项所述之遥控线内粒子侦测器,其 中,通讯链包含一卫星。20.如申请专利范围第15项 所述之遥控线内粒子侦测器,其中,通讯链包含一 链路。21.如申请专利范围第15项所述之遥控线内 粒子侦测器,其中,遥控系统另包含一天线。22.如 申请专利范围第15项所述之遥控线内粒子侦测器, 其中,遥控系统另包含至少一使用者介面装置。23. 一种线内粒子侦测器,包含: 一外壳,具有一内流部份,外壳以可移离之方式置 于管线之相邻部份之间,俾燃料可自燃料源流过内 流部份至燃料消耗者; 一发射装置,用以发射一光束于内流部份内; 一第一装置,用以侦测由发射装置所产生之不受阻 碍之光束之大致全强度; 一第二装置,用以侦测由发射装置所产生之不受阻 碍之光束之一基线位准;及 比较装置,用以比较由第一及第二侦测装置所侦测 之光强度,以决定所引进之燃料流内粒子之存在。 24.如申请专利范围第23项所述之线内粒子侦测器, 其中,燃料流为天然气。25.如申请专利范围第23项 所述之线内粒子侦测器,其中,燃料流选自丙烷,已 烷,庚烷,自煤所获得之气体,及甲烷所组之群中。 26.如申请专利范围第23项所述之线内粒子侦测器, 其中,含有粒子之燃料导致所产生之光束散射,及 由第二侦测装置所量得之光强度增加至基线位准 以上,及到达第一侦测装置之光强度降低。27.如申 请专利范围第23项所述之线内粒子侦测器,其中,一 控制结构输入至电路。28.如申请专利范围第27项 所述之线内粒子侦测器,其中,控制结构由专用积 体电路之记忆器中之程式设计输入该电路中。29. 如申请专利范围第27项所述之线内粒子侦测器,其 中,控制结构由埋置于一或更多电脑中之演算法之 形态输入该电路中。30.如申请专利范围第29项所 述之线内粒子侦测器,其中,电脑选自工作站,小型 电脑,微电脑,及超级电脑所组之群中。31.如申请 专利范围第27项所述之线内粒子侦测器,其中,控制 结构以选自C,C++,培基,MATLAB,及FORTRAN之语言设计程 式。32.如申请专利范围第27项所述之线内粒子侦 测器,其中,控制结构包含方法步骤: 比较由第一及第二光侦测器所量得之光强度比率 及设定点比率。33.如申请专利范围第32项所述之 线内粒子侦测器,其中,光强度比率超过设定点比 率,及电路发起系统控制。34.如申请专利范围第33 项所述之线内粒子侦测器,其中,系统控制限制轮 机引擎于低负荷操作。35.如申请专利范围第33项 所述之线内粒子侦测器,其中,系统控制为用以检 查系统不正常之一演算法。36.如申请专利范围第 33项所述之线内粒子侦测器,其中,系统控制致动一 警报。37.一种线内粒子侦测器,包含: 一外壳,具有一内流部份; 一光源,置于外壳内,用以发射一光束于内流部份 内; 一第一光侦测器,置于外壳内,与光源相对及大致 垂直设置,俾由第一光侦测器侦测不阻碍之所产生 之光束之大致全强度; 一第二光侦测器,置于外壳内,与第一光侦测器相 邻设置,俾由第二光侦测器侦测不受口碍之所产生 之光束之一基线位准;及 电路,连接至第一及第二光侦测器,以监视由第一 及第二光侦测器所量度之光强度之比率,俾指示所 引进之燃料流内粒子之存在。38.一种插于管线内 之线内粒子侦测器,包含: 一光源,置于管线内,用以发射一光束于管线之内 流部份内; 一第一光侦测器,置于管线内,与光源相对及大致 垂直设置,俾由第一光侦测器侦测不受阻碍之所产 生之光束之大致全强度; 一第二光侦测器,置于管线内,与第一光侦测器相 邻设置,俾由第二光侦测器侦测不受阻碍之所产生 之光束之一基线位准;及 电路,连接至第一及第二光侦测器,以监视由第一 及第二光侦测器所量度之光强度之比率,俾指示所 引进之燃料流内粒子之存在。图式简单说明: 第一图为一管线及本发明之一实施例之线内粒子 侦测器之概要断面侧视图; 第二图为本发明之一实施例之线内粒子侦测器之 放大概要断面侧视图;及 第三图为一管线及本发明之一实施例之遥控线内 粒子侦测器之概要断面侧视图。 |
